公开(公告)号：CN105428425A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510742720.X

申请日：2015-09-15

申请人： ABB技术有限公司

发明人： J·霍莫拉 ,  J·波德泽姆斯基 ,  L·拉德范 ,  I·米勒

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L21/223 ,  H01L21/304 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/8613 ,  H01L21/2225 ,  H01L29/0603

摘要： 提供一种高频功率二极管，其包括：具有第一主侧(101)和第二主侧(102)的半导体晶圆，形成在第一主侧(101)上的第一导电类型的第一层(103)，形成在第二主侧(102)上的第二导电类型的第二层(105)以及形成在第一层(103)和第二层(105)之间的第二导电类型的第三层(104)。第一层(103)具有从邻近于晶圆的第一主侧(101)的1019cm-3或更高降低到第一层(103)和第三层(104)接触面处的1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度。第二层(105)具有从邻近于晶圆的第二主侧(102)的1019cm-3或更高降低到第二层(105)和第三层(104)接触面处的1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度，并且第三层(104)具有1.5·1015cm-3或更少的掺杂剂浓度。距第一主侧(101)50μm距离处的第一层(103)中掺杂剂浓度和距第二主侧(102)50μm距离处的第二层(105)中掺杂剂浓度分别为1017cm-3或更高，并且第三层(104)的厚度小于60μm。