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公开(公告)号：CN107104036B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201710086406.X
申请日：2017-02-17
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种用于在沟槽中制备层结构的方法，其包括：同时在沟槽的上表面和底表面以及侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中通过由在两个电极之间施加电压激发的等离子体的轰击使在上表面和底表面上形成的膜的顶部/底部部分和在侧壁上形成的膜的侧壁部分具有不同的耐化学性，所述在电极之间将基材平行于两个电极放置；并且通过湿蚀刻基本去除所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的任一个但不同时去除两个，所述湿蚀刻根据不同的耐化学性，相对于所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的一个，更主要地去除所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的另一个。
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公开(公告)号：CN107104036A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710086406.X
申请日：2017-02-17
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/0234
摘要： 一种用于在沟槽中制备层结构的方法，其包括：同时在沟槽的上表面和底表面以及侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中通过由在两个电极之间施加电压激发的等离子体的轰击使在上表面和底表面上形成的膜的顶部/底部部分和在侧壁上形成的膜的侧壁部分具有不同的耐化学性，所述在电极之间将基材平行于两个电极放置；并且通过湿蚀刻基本去除所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的任一个但不同时去除两个，所述湿蚀刻根据不同的耐化学性，相对于所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的一个，更主要地去除所述膜的顶部/底部部分和侧壁部分中的另一个。
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公开(公告)号：CN110176392B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910110274.9
申请日：2019-02-11
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 一种半导体制造中的间隔物限定的直接图案化方法包括：提供具有线的目标宽度的光致抗蚀剂结构；修整所述光致抗蚀剂结构，使得每个修整过的光致抗蚀剂结构的宽度小于所述目标宽度；在模板上沉积氧化物膜，从而用所述氧化物膜完全覆盖所述模板的暴露顶表面和所述修整过的光致抗蚀剂结构；蚀刻所述氧化膜覆盖的模板以去除所述氧化膜的不需要部分而不去除所述修整过的光致抗蚀剂结构，从而形成彼此隔离的竖直间隔物，每个间隔物基本上保持所述目标宽度并由所述修整过的光致抗蚀剂结构和覆盖所述修整过的光致抗蚀剂结构的侧壁的所述氧化膜的竖直部分构成；以及蚀刻形成间隔物的模板，以将由所述间隔物构成的图案转移到所述模板上。
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公开(公告)号：CN108878258A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447158.1
申请日：2018-05-11
申请人： ASM IP控股有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/513
摘要： 一种用于在沟槽中制造层结构的方法包括：同时在所述沟槽的上表面、以及底部表面和侧壁上形成含有Si‑N键的介电膜，其中形成于所述上表面和所述底部表面上的所述膜的顶部/底部部分以及形成于所述侧壁上的所述膜的侧壁部分借助通过在两个电极之间施加电压被激发的等离子体的轰击而被赋予不同的耐化学品特性，衬底平行于所述两个电极放置在所述电极之间；以及通过湿法蚀刻基本上去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的任一个，但不是两者，所述湿法蚀刻根据所述不同的耐化学品特性相比于另一个更主要地去除所述膜的所述顶部/底部部分和所述侧壁部分中的一个。
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