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公开(公告)号：CN116758012A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310622332.2
申请日：2019-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·特里波迪 , 帕特里克·华纳 , G·格热拉 , M·哈伊赫曼达 , F·法哈德扎德 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , 安卓尼斯·科内利斯·马修斯·科普曼 , 弗兰克·斯塔尔斯 , 布伦南·彼得森 , A·B·范奥斯汀
Abstract: 公开了一种确定与衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底。方法包括：获得结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定感兴趣的特性。
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公开(公告)号：CN112585538A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053030.X
申请日：2019-07-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 穆罕默德·R·卡迈利 , 布伦南·彼得森
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 公开了一种用于控制制造半导体器件的制造过程的方法，所述方法包括：获得指示所述制造过程的性能的性能数据，所述性能数据包括横跨经受所述制造过程的衬底的性能参数的值；和基于所述性能数据和与所述制造过程的一个或更多个控制参数的动态行为有关的至少一个控制特性，确定对所述制造过程的过程校正，其中所述确定步骤还基于当施加所述过程校正时所述制造过程的预期稳定性。
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公开(公告)号：CN115877673A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310087729.6
申请日：2018-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述一种方法。所述方法包括：获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果，以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数；基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数，其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数；以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果，来确定所述参数的参数极限。
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公开(公告)号：CN112236724B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201980038174.8
申请日：2019-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·特里波迪 , 帕特里克·华纳 , G·格热拉 , M·哈伊赫曼达 , F·法哈德扎德 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , 安卓尼斯·科内利斯·马修斯·科普曼 , 弗兰克·斯塔尔斯 , 布伦南·彼得森 , A·B·范奥斯汀
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种确定与通过光刻过程形成的在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法，所述方法包括：获得所述结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定所述感兴趣的特性。也公开了一种掩模版，所述掩模版包括目标形成特征，所述特征包括多于两个的子特征，每个子特征在成像在衬底上以在所述衬底上形成相应的目标结构时对感兴趣的特性具有不同的敏感度。也描述了相关方法和设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095108A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880047900.8
申请日：2018-06-18
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 高安 , 桑雅辛格·拉尔巴哈朵尔辛 , A·尼基帕罗夫 , A·O·波利亚科夫 , 布伦南·彼得森
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L23/544
Abstract: 本公开描述了一种用于确定与半导体器件衬底(110)中的至少一个目标对准标记(114)有关的信息的设备(160)。所述目标对准标记(114)最初至少部分被衬底(110)上的不透明的碳或金属层(120)遮挡。所述设备(160)包括能量传递系统(140)，所述能量传递系统(140)配置成发射激光束(132)，以使所述不透明层(120)的至少一部分(134)改性从而使得在所述至少一部分(134)中发生提高所述部分(134)的透明度的相变和/或化学变化。光学信号(136)能够传播通过被改性的部分(134)以确定与目标对准标记(114)有关的信息。
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公开(公告)号：CN111512237B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201880083228.8
申请日：2018-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述一种方法。所述方法包括：获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果，以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数；基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数，其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数；以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果，来确定所述参数的参数极限。
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公开(公告)号：CN111512237A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083228.8
申请日：2018-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中描述一种方法。所述方法包括：获得(i)所述特征的参数的测量结果、(ii)与图案化过程的过程变量相关的数据、(iii)基于所述参数的所述测量结果和与所述过程变量相关的所述数据而被定义为所述过程变量的函数的所述参数的函数行为、(iv)所述特征的失效率的测量结果，以及(v)针对所述过程变量的设定的所述过程变量的概率密度函数；基于转换函数将所述过程变量的所述概率密度函数转换成所述参数的概率密度函数，其中基于所述过程变量的所述函数来确定所述转换函数；以及基于所述参数的所述概率密度函数、以及所述失效率的所述测量结果，来确定所述参数的参数极限。
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公开(公告)号：CN112585538B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980053030.X
申请日：2019-07-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 穆罕默德·R·卡迈利 , 布伦南·彼得森
IPC: G03F7/20 , G05B19/418
Abstract: 公开了一种用于控制制造半导体器件的制造过程的方法，所述方法包括：获得指示所述制造过程的性能的性能数据，所述性能数据包括横跨经受所述制造过程的衬底的性能参数的值；和基于所述性能数据和与所述制造过程的一个或更多个控制参数的动态行为有关的至少一个控制特性，确定对所述制造过程的过程校正，其中所述确定步骤还基于当施加所述过程校正时所述制造过程的预期稳定性。
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公开(公告)号：CN112236724A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980038174.8
申请日：2019-05-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： L·特里波迪 , 帕特里克·华纳 , G·格热拉 , M·哈伊赫曼达 , F·法哈德扎德 , P·A·J·廷尼曼斯 , S·A·米德尔布鲁克斯 , 安卓尼斯·科内利斯·马修斯·科普曼 , 弗兰克·斯塔尔斯 , 布伦南·彼得森 , A·B·范奥斯汀
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种确定与通过光刻过程形成的在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法，所述方法包括：获得所述结构的输入图像；和使用训练后的神经网络以从所述输入图像确定所述感兴趣的特性。也公开了一种掩模版，所述掩模版包括目标形成特征，所述特征包括多于两个的子特征，每个子特征在成像在衬底上以在所述衬底上形成相应的目标结构时对感兴趣的特性具有不同的敏感度。也描述了相关方法和设备。
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