公开(公告)号：CN116601738A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180084897.9

申请日：2021-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 叶宁 ,  蒋军 ,  张剑 ,  王義向

IPC: H01J37/26

Abstract: 用于提供用于控制带电粒子束系统的样品表面上的电荷的射束的装置、系统和方法。在一些实施例中，模块包括被配置为发射射束的激光源。射束可以照射晶片上与像素相邻的区域以间接加热像素，从而减轻像素处的直接光子诱导效应的原因。一种被配置为检测像素中的缺陷的电子束工具，其中该缺陷是由对像素的间接加热诱导的。

公开(公告)号：CN112640026A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056389.2

申请日：2019-08-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 任志榆 ,  祃龙 ,  王勇军 ,  蒋军

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01L21/66 ,  G01N23/2251

Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体公开了一种用于检测薄型器件结构的缺陷的粒子束检查装置。束检查装置包括：带电粒子束源，其用于在时间序列上将带电粒子引导到晶片的受检查的位置处；以及控制器，该控制器被配置为在时间序列上的不同时间对晶片的区域的多个图像(510‑538)进行采样。多个图像被比较，以检测电压对比差异或电压对比改变(560‑564)，以标识薄型器件结构缺陷(562)。

公开(公告)号：CN114364990A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080061112.1

申请日：2020-08-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 蒋军 ,  任志榆 ,  叶宁 ,  张剑

IPC: G01Q30/02 ,  G01Q30/20 ,  H01L21/66

Abstract: 一种带电粒子束系统可以包括初级源(100)、次级源(200)和控制器。初级源可以被配置为将带电粒子束(241)沿光轴发射到样本(201)的区域上。次级源可以被配置为辐照(242)样本的区域。控制器可以被配置为控制带电粒子束系统改变次级源的输出的参数。一种成像方法可以包括：将带电粒子束(241)发射到样本(201)的区域上，用次级源(200)辐照(242)样本的区域，以及改变次级源的输出的参数。

公开(公告)号：CN116195025A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180063832.6

申请日：2021-07-27

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： B·H·高利 ,  B·拉方丹 ,  蒋军 ,  S·B·汉森 ,  金井建一 ,  J·F·M·范伦斯 ,  C·E·塔贝里 ,  祃龙 ,  O·D·帕特森 ,  张剑 ,  任志榆 ,  王義向

IPC: H01J37/244

Abstract: 公开了使用带电粒子束装置以电压对比模式来观察样本的系统和方法。带电粒子束装置包括：带电粒子源；光源；被配置为检测带电粒子的带电粒子检测器；以及具有电路系统的控制器，其被配置为施加第一信号以使得光源生成光脉冲，将第二信号施加到带电粒子检测器以检测第二多个带电粒子，以及调整第一信号和第二信号之间的时间延迟。在一些实施例中，具有电路系统的控制器还可以被配置为获取结构的多个图像；基于结构的多个图像的灰度级变化率来确定结构的电特性；以及基于所确定的电特性，使用模型来模拟结构的物理特性。