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公开(公告)号：CN106104383A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013909.3
申请日：2015-03-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·I·厄肖夫
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B08B7/0035 , B08B7/0057 , G02B27/0006 , G03F7/70033 , G03F7/70883 , G03F7/70925 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32339 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J2237/327 , H01J2237/335 , H05G2/003 , H05G2/008
摘要： 净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。
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公开(公告)号：CN105518530A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048742.X
申请日：2014-08-21
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 一种设备，包括具有内壁的室和在室内的区域，当设备处于操作中时污染材料从该区域发出。多个叶片被定位在内壁的一部分上，每个叶片具有沿着在叶片与区域之间的方向被定向的第一表面和与第一表面相邻的第二表面，第二表面被定向成使撞击第二表面的污染材料远离区域偏转，第二表面被确定尺寸并且相对于彼此被并列放置以使得第二表面基本上防止污染材料撞击内壁的一部分。
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公开(公告)号：CN117202469A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311317803.5
申请日：2018-01-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·拉贝斯基 , C·W·J·贝伦德森 , R·M·杜阿特·罗德里格斯·努奈斯 , A·I·厄肖夫 , K·F·佛斯特拉 , I·V·福门科夫 , K·M·休姆勒 , A·约翰卡达沙姆 , M·克劳斯哈尔 , A·D·拉弗格 , M·G·兰格洛斯 , M·洛吉诺夫 , 马悦 , S·莫亚伯 , K·纳蒂亚 , A·沙塔洛夫 , J·T·斯特瓦特 , H·G·泰格波什 , 夏春光
摘要： 一种辐射源包括：腔室，包括等离子体形成区域；辐射收集器，被布置在腔室中，该辐射收集器被配置为收集在等离子体形成区域处所发射的辐射并且将收集到的辐射导向至中间焦点区域；碎片削减系统，被配置为将来自中间焦点区域的第一气流朝向等离子体形成区域导向；以及引导装置，被布置在腔室中，使得第一气流被导向在引导装置周围。提供了一种用于减少EUV容器的内容器壁的污染的系统和设备。该系统和设备包括：气体的内容器壁供应源，气体的内容器壁供应源经由远离内容器壁的多个喷嘴来引入气体。系统和设备还可选地包括：不对称的排气口，用于在提供促进气体远离内容器壁和EUV容器内的EUV收集器的方向的流动几何形状的同时从EUV容器中排出气体。
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公开(公告)号：CN110058494A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910125932.1
申请日：2015-03-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·I·厄肖夫
摘要： 净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。
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公开(公告)号：CN105981482A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480065547.8
申请日：2014-11-06
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/006 , G03F7/2008 , H05G2/005 , H05G2/008
摘要： 公开了气体被引起与源材料的流动平行地流动以形成气体罩的装置和方法。气体罩可以保护源材料的流动以免被气体的横流破坏。气体罩还可以通过使源材料的辐照期间所形成的等离子体泡变形使得等离子体泡不会太接近物理罩来限制源材料所通过的物理罩的发热并且限制源材料在物理罩上的积聚。装置和方法还公开用于建立气体的附加横穿流动，使得气体罩不会引起用于收集源材料的辐照期间所生成的光的光学器件的源材料污染。
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公开(公告)号：CN105580117A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480049748.9
申请日：2014-08-21
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05G2/008 , G03F7/70033 , G03F7/70925 , H05G2/005
摘要： 在由导管的第一端部限定的第一开口处接收与通过将靶混合物转换成发射出EUV光的等离子体而产生的碎屑结合的自由基，导管包括使自由基通过的材料，并且导管包括远离第一开口延伸并且限定出至少一个其他开口的侧壁，至少一个其他开口被定位成使自由基朝向在表面上积聚有碎屑的元件释放。导管中的自由基被朝向至少一个其他开口引导。自由基穿过至少一个其他开口并且到达元件的表面，以在不从EUV光源去除元件的情况下从元件的表面去除碎屑。
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公开(公告)号：CN116157607A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180059154.6
申请日：2021-07-13
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： F16J15/06
摘要： 一种目标材料供应装置，包括：第一流体流动部件和第二流体流动部件(1122，1126)，它们当联结在一起时限定轴向流动路径，其中轴向流动路径在目标材料流体的源和喷嘴供应装置之间；以及耦合装置，其被配置为密封在第一流体流动部件和第二流体流动部件之间的接头。耦合装置包括具有限定内开口的环形形状的垫圈(1105)，当被安置和密封时该内开口是轴向流动路径的一部分。当垫圈被安置在第一流体流动部件和第二流体流动部件之间从而密封通过附接第一流体流动部件和第二流体流动部件而形成的接头时，从沿着轴向流动路径穿过垫圈内开口的目标材料流体施加到垫圈的压力改善了接头处的密封的气密功能。可选地，功能插入件，例如限流件(1160)能够被安置在垫圈中。
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公开(公告)号：CN107003626B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201580069251.8
申请日：2015-11-10
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种诸如聚光反射镜之类的反射式EUV光学器件配置作为间隔开以在相邻琢面之间形成相应间隙的琢面阵列。间隙用作气体流过琢面的一个的入口以使得平行于光学器件表面而引入流体。琢面可以形成具有偏移以使得可以最小化EUV光学器件的反射面积的损失。气体促进从琢面的表面移除靶标材料。
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