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公开(公告)号：CN101576718A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910141992.9
申请日：2009-05-08
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·瑞鹏 , N·R·凯姆波 , J·P·M·B·沃麦乌伦 , D·J·M·迪莱克斯 , D·M·H·飞利浦斯 , A·J·范普腾
CPC分类号： G03B27/52 , G03F7/70341 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开一种浸没式光刻设备、干燥装置、浸没量测设备和器件制造方法。在所述浸没式光刻设备中，液体去除装置布置成：例如在曝光期间，通过沿一条线布置且与该线形成角度的多个细长的狭槽从衬底去除液体。液体去除装置用作浸没罩(hood)中的弯液面钉扎装置，或用在干燥装置中以从衬底上去除液滴。
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公开(公告)号：CN102221788A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110094314.9
申请日：2011-04-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·M·H·菲利浦斯 , D·J·M·迪莱克斯 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯 , P·P·J·伯克文斯 , M·J·范德赞登 , P·马尔德
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , Y10T137/86292
摘要： 本发明公开了一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构配置成供给浸没液体至限定在投影系统和面对流体处理结构的正对表面之间的空间。流体处理结构的下表面具有：供给开口，配置成朝向正对表面供给流体；多个抽取开口，配置成移除流体处理结构和正对表面之间的流体；和在供给开口和抽取开口之间的突起。
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公开(公告)号：CN102141737A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110029343.7
申请日：2011-01-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·J·M·迪莱克斯 , E·H·E·C·埃尤梅伦 , C·J·G·范登顿根 , M·A·C·斯奇皮尔斯 , S·舒勒波夫 , P·木尔德 , D·毕塞姆斯 , M·巴拉古拿
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03B27/52
摘要： 本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。在浸没光刻设备的液体限制结构中，细长的连续的开口形成用于供给液体至投影系统下面的空间的出口。细长的狭缝形成具有高剪切和压力梯度的区域，其偏转气泡离开像场。
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公开(公告)号：CN118303134A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077315.9
申请日：2022-11-18
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： B·L·W·M·范德文 , W·P·范德伦特 , N·J·W·鲁弗斯 , E·J·比伊斯 , D·J·M·迪莱克斯 , M·W·L·H·费杰兹 , J·H·W·雅各布斯 , B·L·柯纳彭 , J·S·C·维斯特尔拉肯
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 本发明涉及一种用于将液体目标材料供应至辐射源的设备，包括：第一贮液器；加压系统，所述加压系统被配置成对液压流体加压；以及分离装置，所述分离装置被配置成将所述液压流体与所述第一贮液器中的所述液体目标材料分离且将压力从所述液压流体传送至所述液体目标材料。本发明也涉及一种将液体目标材料供应至辐射源的相关联的方法。
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公开(公告)号：CN102221788B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110094314.9
申请日：2011-04-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·M·H·菲利浦斯 , D·J·M·迪莱克斯 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯 , P·P·J·伯克文斯 , M·J·范德赞登 , P·马尔德
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341 , Y10T137/86292
摘要： 本发明公开了一种流体处理结构、一种光刻设备和一种器件制造方法。所述流体处理结构配置成供给浸没液体至限定在投影系统和面对流体处理结构的正对表面之间的空间。流体处理结构的下表面具有：供给开口，配置成朝向正对表面供给流体；多个抽取开口，配置成移除流体处理结构和正对表面之间的流体；和在供给开口和抽取开口之间的突起。
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公开(公告)号：CN101923291B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010213165.9
申请日：2010-06-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·J·M·迪莱克斯 , N·R·凯姆波 , D·M·H·菲利普斯 , M·瑞鹏 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341
摘要： 本发明公开了一种浸没光刻设备、控制所述设备的方法以及使用光刻设备制造器件的方法。所述浸没光刻设备包括：衬底台，被配置以支撑衬底；投影系统，被配置以将图案化的辐射束投影到衬底上；液体处理系统，被配置以将浸没液体供给和限制到投影系统与衬底、或衬底台、或衬底和衬底台两者之间所限定的空间；和控制器，用于基于所述路径上的转弯之间的距离在衬底台穿过路径在液体处理系统下面移动期间控制衬底台相对于液体处理系统的移动速度。
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公开(公告)号：CN102141737B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110029343.7
申请日：2011-01-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·J·M·迪莱克斯 , E·H·E·C·埃尤梅伦 , C·J·G·范登顿根 , M·A·C·斯奇皮尔斯 , S·舒勒波夫 , P·木尔德 , D·毕塞姆斯 , M·巴拉古拿
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03B27/52
摘要： 本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。在浸没光刻设备的液体限制结构中，细长的连续的开口形成用于供给液体至投影系统下面的空间的出口。细长的狭缝形成具有高剪切和压力梯度的区域，其偏转气泡离开像场。
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公开(公告)号：CN101576718B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910141992.9
申请日：2009-05-08
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·瑞鹏 , N·R·凯姆波 , J·P·M·B·沃麦乌伦 , D·J·M·迪莱克斯 , D·M·H·飞利浦斯 , A·J·范普腾
CPC分类号： G03B27/52 , G03F7/70341 , G03F7/70916
摘要： 本发明公开一种浸没式光刻设备、干燥装置、浸没量测设备和器件制造方法。在所述浸没式光刻设备中，液体去除装置布置成：例如在曝光期间，通过沿一条线布置且与该线形成角度的多个细长的狭槽从衬底去除液体。液体去除装置用作浸没罩(hood)中的弯液面钉扎装置，或用在干燥装置中以从衬底上去除液滴。
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公开(公告)号：CN101923291A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010213165.9
申请日：2010-06-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： D·J·M·迪莱克斯 , N·R·凯姆波 , D·M·H·菲利普斯 , M·瑞鹏 , C·J·G·范德顿根 , M·A·C·斯凯皮斯
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341
摘要： 本发明公开了一种浸没光刻设备、控制所述设备的方法以及使用光刻设备制造器件的方法。所述浸没光刻设备包括：衬底台，被配置以支撑衬底；投影系统，被配置以将图案化的辐射束投影到衬底上；液体处理系统，被配置以将浸没液体供给和限制到投影系统与衬底、或衬底台、或衬底和衬底台两者之间所限定的空间；和控制器，用于基于所述路径上的转弯之间的距离在衬底台穿过路径在液体处理系统下面移动期间控制衬底台相对于液体处理系统的移动速度。
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