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公开(公告)号：CN116583787A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180082155.2
申请日：2021-11-10
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种用于光刻设备的掩模版平台，所述掩模版平台包括：至少一个光学元件，所述至少一个光学元件具有待清洁的区域；辐射束目标；以及控制系统，所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标，其中，所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁用等离子体，其中，所述辐射束目标被定位成将所述光学元件清洁用等离子体提供至所述至少一个光学元件以清洁所述光学元件，并且其中，所述至少一个光学元件是不同于所述辐射束目标的元件，优选地，其中热敏性元件是基准件。也描述一种用于光刻设备的包括至少一个弯曲边缘的基准件、一种包括所述掩模版平台或基准件的光刻设备、以及一种清洁掩模版平台的光学元件的方法。
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公开(公告)号：CN109154771A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780025510.6
申请日：2017-04-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·A·纳萨莱维奇 , E·A·阿贝格 , N·班纳吉 , M·A·布劳 , 德克·S·G·布龙 , 保罗·詹森 , M·可鲁依宁嘉 , E·兰德林克 , N·马克西姆 , A·尼基帕罗夫 , A·W·诺滕博姆 , C·彼烈戈 , M·彼得 , G·里斯朋斯 , N·舒 , M·A·范德柯克霍夫 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·W·弗尔堡 , J·P·M·B·沃缪伦 , D·F·弗莱斯 , W-P·福尔蒂森 , A·N·兹德拉夫科夫
摘要： 公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。
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公开(公告)号：CN114942566A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210555114.7
申请日：2017-04-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·A·纳萨莱维奇 , E·A·阿贝格 , N·班纳吉 , M·A·布劳 , 德克·S·G·布龙 , 保罗·詹森 , M·可鲁依宁嘉 , E·兰德林克 , N·马克西姆 , A·尼基帕罗夫 , A·W·诺滕博姆 , C·彼烈戈 , M·彼得 , G·里斯朋斯 , N·舒 , M·A·范德柯克霍夫 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·W·弗尔堡 , J·P·M·B·沃缪伦 , D·F·弗莱斯 , W-P·福尔蒂森 , A·N·兹德拉夫科夫
摘要： 公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。
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公开(公告)号：CN109154771B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201780025510.6
申请日：2017-04-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·A·纳萨莱维奇 , E·A·阿贝格 , N·班纳吉 , M·A·布劳 , 德克·S·G·布龙 , 保罗·詹森 , M·可鲁依宁嘉 , E·兰德林克 , N·马克西姆 , A·尼基帕罗夫 , A·W·诺滕博姆 , C·彼烈戈 , M·彼得 , G·里斯朋斯 , N·舒 , M·A·范德柯克霍夫 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·W·弗尔堡 , J·P·M·B·沃缪伦 , D·F·弗莱斯 , W-P·福尔蒂森 , A·N·兹德拉夫科夫
摘要： 公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。
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