公开(公告)号：CN112782942B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202011553685.4

申请日：2020-12-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·V·梅德韦德耶瓦 ,  M·I·德拉富恩特瓦伦丁 ,  M·约尔根 ,  G·博特加尔 ,  T·扎卡洛普洛

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种配置方案选择方法，包括：从量测目标获得测量结果，量测目标被定位在半导体晶片上；从器件内目标获得测量结果，器件内目标被定位在所述半导体晶片上；使用量测目标测量结果以及器件内量测测量结果两者来确定用于准确量测的配置方案。

公开(公告)号：CN109073999B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201780027341.X

申请日：2017-03-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·J·范李斯特 ,  A·特斯阿特马斯 ,  P·C·欣南 ,  E·G·麦克纳马拉 ,  A·弗玛 ,  T·希尤维斯 ,  H·A·J·克拉默 ,  M·I·德拉富恩特瓦伦丁 ,  K·范维特文 ,  M·M·扎尔 ,  王淑錦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性，并且其中所述单位单元具有特征，所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性。

公开(公告)号：CN109073999A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780027341.X

申请日：2017-03-01

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： A·J·范李斯特 ,  A·特斯阿特马斯 ,  P·C·欣南 ,  E·G·麦克纳马拉 ,  A·弗玛 ,  T·希尤维斯 ,  H·A·J·克拉默 ,  M·I·德拉富恩特瓦伦丁 ,  K·范维特文 ,  M·M·扎尔 ,  王淑錦

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性，并且其中所述单位单元具有特征，所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性。

公开(公告)号：CN112782942A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011553685.4

申请日：2020-12-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·V·梅德韦德耶瓦 ,  M·I·德拉富恩特瓦伦丁 ,  M·约尔根 ,  G·博特加尔 ,  T·扎卡洛普洛

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种配置方案选择方法，包括：从量测目标获得测量结果，量测目标被定位在半导体晶片上；从器件内目标获得测量结果，器件内目标被定位在所述半导体晶片上；使用量测目标测量结果以及器件内量测测量结果两者来确定用于准确量测的配置方案。