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公开(公告)号：CN109073995B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780027317.6
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的参数的方法，该方法包括：获得检测到的由在标称物理配置下具有几何对称性的结构重定向的辐射的表示，其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述结构填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统基于来自所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分的光学特性值来确定所述图案化工艺的参数的值，所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分具有比所述检测到的辐射的表示中的另一部分更高的权重，所述不对称光学特性分布源自所述结构的与所述标称物理配置不同的物理配置。
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公开(公告)号：CN109073999A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027341.X
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·范李斯特 , A·特斯阿特马斯 , P·C·欣南 , E·G·麦克纳马拉 , A·弗玛 , T·希尤维斯 , H·A·J·克拉默 , M·I·德拉富恩特瓦伦丁 , K·范维特文 , M·M·扎尔 , 王淑錦
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性，并且其中所述单位单元具有特征，所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性。
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公开(公告)号：CN109073998A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027339.2
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：获得检测到由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个物理实例填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统并且根据来自所述检测到的辐射的表示的光学特性值、与针对所述单位单元的第二套刻相分离地确定针对所述单位单元的第一套刻的值，所述第二套刻的值也从相同的光学特性值可获得，其中所述第一套刻处于与所述第二套刻不同的方向上，或者在与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间。
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公开(公告)号：CN105980932A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075272.6
申请日：2014-11-20
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： Y·J·L·M·范多梅伦 , P·D·恩格布罗姆 , L·G·M·克塞尔斯 , A·J·登博夫 , K·布哈塔查里亚 , P·C·欣南 , M·J·A·皮特斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获得表示目标的整体非对称性的非对称性测量，其中非对称性测量指示形成目标的束的焦距。一种用于形成这种目标的相关联的掩模和一种具有这种目标的衬底。
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公开(公告)号：CN115327861B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211006576.X
申请日：2018-08-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 公开了控制图案化过程的方法。在一种布置中，获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据。该倾斜表示蚀刻路径的方向与目标层的平面的垂直线偏离。倾斜数据被用于控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924140B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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公开(公告)号：CN111742265A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014284.0
申请日：2019-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 公开了一种针对测量应用(335；340；345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射，执行(305)参考测量；以及执行(310；325)一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的。将一个或多个优化测量与参考测量进行比较(320)；并且基于比较，为测量应用选择(330)最佳带宽。
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公开(公告)号：CN109073997A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027338.8
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶辐射；以及由硬件计算机系统从检测到的辐射的光学特性值确定所述单位单元的套刻的非标称值。
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公开(公告)号：CN109073996A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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公开(公告)号：CN100476599C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03164840.1
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据-设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，-用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，-由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。
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