公开(公告)号：CN101923285B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201010198859.X

申请日：2010-06-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·尼古尔斯基 ,  J·M·芬德尔斯 ,  R·J·S·格劳恩迪吉克

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70533 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明提供一种光刻方法和布置。所述光刻方法包括：使第一材料层在辐射束下曝光以便在第一层中形成第一图案特征，第一图案特征具有侧壁；并且控制所述辐射束的聚焦特性以控制所述侧壁的侧壁角度；在第一图案特征上形成第二材料层以在第一图案的侧壁上形成覆盖层；去除第二层的一部分，在所述第一图案的侧壁上留下所述第二材料层的覆盖层；去除由第一层形成的第一图案，在衬底上留下在所述第一图案特征的侧壁上形成覆盖层的所述第二层的至少一部分，所述第二层留在衬底上的所述部分在与被去除的第一图案特征的侧壁的位置邻近的位置上形成第二图案特征。

公开(公告)号：CN101923285A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010198859.X

申请日：2010-06-07

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： P·尼古尔斯基 ,  J·M·芬德尔斯 ,  R·J·S·格劳恩迪吉克

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70533 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 本发明提供一种光刻方法和布置。所述光刻方法包括：使第一材料层在辐射束下曝光以便在第一层中形成第一图案特征，第一图案特征具有侧壁；并且控制所述辐射束的聚焦特性以控制所述侧壁的侧壁角度；在第一图案特征上形成第二材料层以在第一图案的侧壁上形成覆盖层；去除第二层的一部分，在所述第一图案的侧壁上留下所述第二材料层的覆盖层；去除由第一层形成的第一图案，在衬底上留下在所述第一图案特征的侧壁上形成覆盖层的所述第二层的至少一部分，所述第二层留在衬底上的所述部分在与被去除的第一图案特征的侧壁的位置邻近的位置上形成第二图案特征。