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公开(公告)号:CN103293872B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201310056504.0
申请日:2013-02-22
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: N·J·M·范德纽维拉尔 , P·F·范吉欧斯 , A·E·斯威明
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/7075 , G03F7/00 , G03F7/70533 , G03F7/70725 , G03F7/70733 , G03F7/70991
摘要: 本发明涉及一种衬底操纵装置、光刻系统和器件制造方法,尤其涉及一种用于将待曝光的衬底从轨道转移至光刻设备的衬底操纵装置。所述衬底操纵装置布置成确定开始衬底的转移过程的状况或时刻,所述状况或时刻基于光刻设备的预定的处理特性,用于保持衬底在衬底操纵装置中的转移时间段是基本上恒定的。
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公开(公告)号:CN102165371A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN200980137566.6
申请日:2009-09-18
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70525 , G03F7/70191 , G03F7/70266 , G03F7/70308 , G03F7/705 , G03F7/70533 , G03F7/70891
摘要: 本发明提供一种用于成像物场的、用于微光刻的投射设备,包括物镜、用于操纵所述物镜的至少一个或多个光学元件的至少一个或多个操纵器、用于控制所述至少一个或多个操纵器的控制单元、用于确定所述物镜的至少一个像差的确定装置、以及存储器,保存用于所述物镜的一个或多个规范的上限,包括用于所述至少一个像差的上限和/或用于所述至少一个或多个操纵器的移动的上限,其中,当确定所述上限之一被所述像差之一突破以及/或者所述上限之一被所述操纵器移动之一突破时,可以通过控制所述至少一个或多个操纵器,在至多30000ms、或10000ms、或5000ms、或1000ms、或200ms、或20ms、或5ms、或1ms内,可实现使所述上限不被突破。
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公开(公告)号:CN1922548A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200580005557.3
申请日:2005-03-24
申请人: 凯文迪什动力学有限公司
发明人: 迪尔克·赖因哈德·奥特洛夫
IPC分类号: G03F7/20 , G05B19/418
CPC分类号: G03F7/70991 , G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70533 , G03F7/70541 , Y02P90/265
摘要: 一种信息管理和跟踪系统,用于管理和跟踪与工艺开发相关的制品数据,制品数据包括与开发实验参数、结果和产品相关的数据。本系统包括数据管理部件和用于保留与工艺设计相关的数据的工艺设计环境。开发跟踪环境保留包括制品的与工艺开发相关的数据。后备注释环境接收工艺数据并将其提供到开发跟踪环境。配置数据管理部件以控制工艺设计环境、开发跟踪环境和后备注释环境,使得在使用中,能够以链接的方式访问从其中接收的和存储在其中的数据,使得在使用中,用户能够从每个环境获得数据并观察其间的链接。
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公开(公告)号:CN1845009A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200610074166.3
申请日:2006-04-07
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
摘要: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤:定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标;测量一掩模临界尺寸;比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标,并据以决定一临界尺寸误差;依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量;以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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公开(公告)号:CN108227398A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711305669.1
申请日:2017-12-11
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70533 , G03F7/201 , G03F7/7005 , G03F7/70133 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/70725 , G03F7/70775 , G03F7/70808 , H01L21/67115 , H01L21/6776 , G03F7/7015 , G03F7/70733
摘要: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时,使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来,在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而,在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时,不对晶圆进行曝光,并且,保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此,将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制,因此,光强度稳定。
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公开(公告)号:CN107765653A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710718003.2
申请日:2017-08-21
申请人: 发那科株式会社
发明人: 齐藤学
IPC分类号: G05B19/418
CPC分类号: H01M8/04082 , G03F7/70533 , G05B19/0426 , G05B19/40937 , G05B19/4184 , G05B19/41865 , G05B2219/31347 , G05B2219/32371 , H01M8/043 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/26
摘要: 本发明提供一种单元控制系统。利用制造单元的运转计划使制造单元内的异常产生概率降低的单元控制系统具备向制造单元所具备的制造机械发送运转指示的单元控制器。所述单元控制器具备:机械运转指示部,其基于运转日程向所述的各制造机械发送运转指示;运转信息收集部,其收集所述制造机械的运转信息;警报概率推定部,其推定所述制造机械中的警报产生概率;日程候补生成部,其生成将运转日程中的动作要素的顺序或开始时间变更而成的至少1个运转日程候补;最佳候补选择部,其从所述运转日程和所述运转日程候补中将考虑了警报产生的所需时间最短的一个作为选择运转日程来采用。
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公开(公告)号:CN102165371B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN200980137566.6
申请日:2009-09-18
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/70525 , G03F7/70191 , G03F7/70266 , G03F7/70308 , G03F7/705 , G03F7/70533 , G03F7/70891
摘要: 本发明提供一种用于成像物场的、用于微光刻的投射设备,包括物镜、用于操纵所述物镜的至少一个或多个光学元件的至少一个或多个操纵器、用于控制所述至少一个或多个操纵器的控制单元、用于确定所述物镜的至少一个像差的确定装置、以及存储器,保存用于所述物镜的一个或多个规范的上限,包括用于所述至少一个像差的上限和/或用于所述至少一个或多个操纵器的移动的上限,其中,当确定所述上限之一被所述像差之一突破以及/或者所述上限之一被所述操纵器移动之一突破时,可以通过控制所述至少一个或多个操纵器,在至多30000ms、或10000ms、或5000ms、或1000ms、或200ms、或20ms、或5ms、或1ms内,可实现使所述上限不被突破。
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公开(公告)号:CN103293872A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310056504.0
申请日:2013-02-22
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: N·J·M·范德纽维拉尔 , P·F·范吉欧斯 , A·E·斯威明
IPC分类号: G03F7/20
CPC分类号: G03F7/7075 , G03F7/00 , G03F7/70533 , G03F7/70725 , G03F7/70733 , G03F7/70991
摘要: 本发明涉及一种衬底操纵装置、光刻系统和器件制造方法,尤其涉及一种用于将待曝光的衬底从轨道转移至光刻设备的衬底操纵装置。所述衬底操纵装置布置成确定开始衬底的转移过程的状况或时刻,所述状况或时刻基于光刻设备的预定的处理特性,用于保持衬底在衬底操纵装置中的转移时间段是基本上恒定的。
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公开(公告)号:CN100474121C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200610094574.5
申请日:2006-06-21
申请人: 东京毅力科创株式会社
CPC分类号: G03F7/7075 , G03F7/70533 , H01L21/67155 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/67196 , H01L21/67253 , H01L21/67276
摘要: 提供一种能够抑制成本和体积的增加、抑制成品率和生产能力的降低的基板处理系统以及基板处理方法。在具有对多个基板进行单片式处理的第1装置(50)和第2装置(60),在进行了以所述第1装置(50)进行的第1处理工序后进行以所述第2装置(60)进行的第2处理工序,在所述第2处理工序后,进行以所述第1装置(50)进行的第3处理工序的基板处理系统(100)中,作为基板输送的控制机构,所述第1装置具有第1控制机构(30),并且所述第2装置具有第2控制机构(40),所述第1控制机构(30)或第2控制机构(40)通过通信取得与另一方装置中的处理时间相关的信息,依据取得的信息对第1装置(50)与第2装置(60)之间的基板输送进行控制。
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公开(公告)号:CN1332423C
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200410097842.X
申请日:2004-12-01
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: G03F9/7026 , G01N2021/8416 , G03F7/70533
摘要: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统,其使用一水平感测装置,通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形,来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移,聚焦点偏移对应于一高度,此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着,转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点,以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后,在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片,此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点,仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。
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