公开(公告)号：CN1765006A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007799.1

申请日：2004-03-02

申请人： AXT公司

发明人： C·梁 ,  D·张 ,  M·杨

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/42 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/67115 ,  C30B29/42 ,  C30B33/00 ,  H01L21/67109

摘要： 一个处理多个晶片的装置和方法，其用于减少杂质的密度，同时提高衬底电特性的均匀性，且没有任何的热应力。对晶片进行化学处理，并在密闭反应管中，在砷超压下，利用可控制的热分布来对晶片进行热处理以加热晶片。热分布控制炉内的不同区域的温度，该炉包含密封反应管。晶片的杂质被溶解，且从晶片的内部向外扩散到晶片的外部。

公开(公告)号：CN1798879A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480006874.2

申请日：2004-03-02

申请人： AXT公司

发明人： X·G·刘 ,  M·杨

IPC分类号： C30B13/00 ,  C30B13/28

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/40

摘要： 一种用于密闭系统中 III－V族单晶半导体化合物生长的装置和方法，在该密闭系统中，一个密封安瓿与一个压力容器之间的压力维持平衡。可利用密封安瓿的温度、多晶炉料的数量以及材料例如磷的量将密封安瓿内部的蒸汽压控制在5atm。填充和释放一种惰性气体来控制压力容器的压力。