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公开(公告)号：CN104797560A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380058490.4
申请日：2013-10-28
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C07D221/14 , C07D409/06 , G03F7/004
CPC分类号： C07D221/14 , C07D401/12 , C07D403/04 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D471/12 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C07D401/04 , C07D471/06
摘要： 提高了对g线以及h线等可见光的灵敏度并且也改善了溶解性的芳香族酰亚胺化合物由式(1)表示(式中，R1表示碳原子数1～7的卤代烷基或卤代芳基，R2表示取代或未取代的、具有也可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的基团，R3表示卤素原子或烃基，m是0或1以上的整数，n是0或1以上的整数，m与n的合计为1以上6以下)。该化合物例如通过如下方式获得：通过使卤代萘二甲酸酐与含有乙炔基苯等芳香族基团的烃进行反应，从而制造由含芳香族基团的基团取代了的萘二甲酸酐，将其与盐酸羟胺进行反应而进行N-羟基酰亚胺化，接着与三氟磺酰氯等磺酰卤进行反应。
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公开(公告)号：CN103995437B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201410056634.9
申请日：2014-02-19
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
摘要： 本发明提供一种负型感光性硅氧烷组合物，其具有高分辨率、高耐热性、高透明性，不需提高交联剂或硅氧烷化合物的分子量而抑制容易在热固化中发生的热塌陷，其具有高灵敏度和高残膜率的特性。一种负型感光性聚硅氧烷组合物，其特征在于，其包含：(I)聚硅氧烷、(II)通过照射放射线而释放出酸的芳香族酰亚胺化合物、以及(III)溶剂。
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公开(公告)号：CN103995437A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056634.9
申请日：2014-02-19
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
摘要： 本发明提供一种负型感光性硅氧烷组合物，其具有高分辨率、高耐热性、高透明性，不需提高交联剂或硅氧烷化合物的分子量而抑制容易在热固化中发生的热塌陷，其具有高灵敏度和高残膜率的特性。一种负型感光性聚硅氧烷组合物，其特征在于，其包含：(I)聚硅氧烷、(II)通过照射放射线而释放出酸的芳香族酰亚胺化合物、以及(III)溶剂。
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公开(公告)号：CN105190441B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480012592.7
申请日：2014-03-14
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/11 , C08F20/10 , C08G63/133 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题在于提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法，该上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光而进行的图案形成方法中，可形成粗糙度、图案形状优异的图案。本发明的解决手段是一种上层膜形成用组合物，其特征在于包含具有亲水性基团的苯并菲衍生物以及溶剂；以及一种方法，其中，通过将该组合物涂布于抗蚀层表面，利用曝光显影而形成图案。该组合物也可进一步包含聚合物。
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公开(公告)号：CN106462073A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580025513.0
申请日：2015-05-19
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法，所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中，可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面，通过曝光显影从而形成图案的方法，所述上层膜形成用组合物的特征在于，包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。
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公开(公告)号：CN105190441A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480012592.7
申请日：2014-03-14
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/11 , C08F20/10 , C08G63/133 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题在于提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法，该上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光而进行的图案形成方法中，可形成粗糙度、图案形状优异的图案。本发明的解决手段是一种上层膜形成用组合物，其特征在于包含具有亲水性基团的苯并菲衍生物以及溶剂；以及一种方法，其中，通过将该组合物涂布于抗蚀层表面，利用曝光显影而形成图案。该组合物也可进一步包含聚合物。
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公开(公告)号：CN106462073B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201580025513.0
申请日：2015-05-19
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法，所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中，可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面，通过曝光显影从而形成图案的方法，所述上层膜形成用组合物的特征在于，包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。
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公开(公告)号：CN104797560B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380058490.4
申请日：2013-10-28
申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC分类号： C07D221/14 , C07D409/06 , G03F7/004
CPC分类号： C07D221/14 , C07D401/12 , C07D403/04 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D409/06 , C07D409/12 , C07D471/12 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： 提高了对g线以及h线等可见光的灵敏度并且也改善了溶解性的芳香族酰亚胺化合物由式(1)表示(式中，R1表示碳原子数1～7的卤代烷基或卤代芳基，R2表示取代或未取代的、具有也可含有杂原子的脂肪族基团或芳香族基团的基团，R3表示卤素原子或烃基，m是0或1以上的整数，n是0或1以上的整数，m与n的合计为1以上6以下)。该化合物例如通过如下方式获得：通过使卤代萘二甲酸酐与含有乙炔基苯等芳香族基团的烃进行反应，从而制造由含芳香族基团的基团取代了的萘二甲酸酐，将其与盐酸羟胺进行反应而进行N‑羟基酰亚胺化，接着与三氟磺酰氯等磺酰卤进行反应。
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