公开(公告)号：CN102399372A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110227500.5

申请日：2011-08-05

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 关藤高志 ,  田代裕治 ,  福家崇司 ,  横山大志 ,  野中敏章

IPC分类号： C08J7/00 ,  C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  C08G77/06 ,  C08G77/16

摘要： 本发明涉及一种硅氧烷树脂组合物的固化覆膜形成方法。使用硅氧烷树脂组合物，形成透明性优异，具有高划痕硬度、高绝缘性、低介电常数以及平整性优异，烧制时没有膜减少，即使形成厚膜也不会产生裂痕，而且基板界面没有膜剥落，密合性优异的烧制固化覆膜。将含硅烷醇基或烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂组合物涂布到基材上，进行预烘焙处理后，用碱性水溶液处理后，冲洗、烧制，从而形成含硅烷醇基或烷氧基甲硅烷基的硅氧烷树脂组合物的烧制固化覆膜。

公开(公告)号：CN100547036C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN03806271.2

申请日：2003-04-04

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 田代裕治

IPC分类号： C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  G02F1/1333 ,  C08J5/18 ,  H01J11/02 ,  G02F1/1337

CPC分类号： H01J11/12 ,  C08G77/54 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/5465 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  G02F1/133345 ,  H01J11/36 ,  H01J11/38 ,  H01J11/48 ,  H01J2211/366 ,  Y10T428/31663

摘要： 一种组合物，包含交联剂和数均分子量为500-1,000,000的含硅共聚物，该含硅共聚物含有由式(I)和(II)表示的必要单元，并可以包含由式(III)-(VII)表示的任选单元，在-20-100℃反应1-3小时。所得组合物涂覆于基底上，并在150℃或更高(例如250℃)的温度下热固化。因此得到了各种材料性能均优异的含硅聚合物的固化制品。(通式中，A是NH或氧，其比例Si-O/(Si-N+Si-O)为0.01-0.99)。

公开(公告)号：CN1864252A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029142.5

申请日：2004-09-09

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 田代裕治 ,  青木宏幸 ,  石川智规

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

摘要： 本发明的目的是提供用于形成蚀刻停止层的组合物，该组合物能够同时实现干法蚀刻选择性和低的介电常数，以及使用该组合物生产半导体装置的方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的包括含硅聚合物的组合物，包含在该组合物中的含硅聚合物包括二甲硅烷基苯结构，以及包括使用该组合物形成蚀刻停止层的半导体装置的生产方法达到。

公开(公告)号：CN1643066A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806271.2

申请日：2003-04-04

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 田代裕治

IPC分类号： C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  G02F1/1333 ,  C08J5/18 ,  H01J11/02 ,  G02F1/1337

CPC分类号： H01J11/12 ,  C08G77/54 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/5465 ,  C08L83/14 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  G02F1/133345 ,  H01J11/36 ,  H01J11/38 ,  H01J11/48 ,  H01J2211/366 ,  Y10T428/31663

摘要： 一种组合物，包含交联剂和数均分子量为500－1,000,000的含硅共聚物，该含硅共聚物含有由式(I)和(II)表示的必要单元，并可以包含由式(III)－(VII)表示的任选单元，在-20－100℃反应1－3小时。所得组合物涂覆于基底上，并在150℃或更高(例如250℃)的温度下热固化。因此得到了各种材料性能均优异的含硅聚合物的固化制品。(通式中，A是NH或氧，其比例Si－O/(Si－N+Si－O)为0.01－0.99)。

公开(公告)号：CN1219810C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN02800958.4

申请日：2002-03-14

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 田代裕治

IPC分类号： C08G77/54 ,  C08J5/18 ,  C08L83

CPC分类号： C08G77/54 ,  C09D183/14

摘要： 本发明涉及一种含硅共聚物的制造方法，其特征在于使至少含以下通式(VIII)表示的有机多卤代硅烷和以下通式(IX)表示的二甲硅烷基化合物的混合物，与分散在叔胺类溶剂中的水反应，然后与氨反应使未反应的卤代硅烷反应完全，式中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立为烷基、链烯基、环烷基、芳基、芳烷基、烷基氨基、烷基甲硅烷基或烷氧基，R7是亚烷基、亚链烯基、亚环烷基或亚芳基，X是卤原子。由该方法制得的含硅共聚物在大气中固化后透明性优良并能够降低介电常数，适于用作PDP用电介质层材料。

公开(公告)号：CN100419973C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200480029142.5

申请日：2004-09-09

申请人： AZ电子材料(日本)株式会社

发明人： 田代裕治 ,  青木宏幸 ,  石川智规

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

摘要： 本发明的目的是提供用于形成蚀刻停止层的组合物，该组合物能够同时实现干法蚀刻选择性和低的介电常数，以及使用该组合物生产半导体装置的方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的包括含硅聚合物的组合物，包含在该组合物中的含硅聚合物包括二甲硅烷基苯结构，以及包括使用该组合物形成蚀刻停止层的半导体装置的生产方法达到。