有机晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102105987B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200980128991.9

    申请日:2009-06-29

    Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中,进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一,提供一种有机晶体管,其特征在于,该有机晶体管在基板(a)上具有:栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e),其中,在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二,提供一种有机晶体管的制造方法,其特征在于,其为有机晶体管的制造方法,其中,具有如下工序:通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布,在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序;或,通过印刷或涂布,在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。

    含氟酚醛清漆型树脂、氟系表面活性剂、氟系表面活性剂组合物以及树脂组合物

    公开(公告)号:CN101631809B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200880005668.8

    申请日:2008-05-21

    CPC classification number: C08G8/28 C08L61/06

    Abstract: 本发明涉及用下述通式(I)表示的含氟酚醛清漆型树脂、使用该树脂的氟系表面活性剂以及树脂组合物。添加有所述含氟酚醛清漆型树脂等的材料,在加工工序中或者作为加工后的制品使用时,即使暴露于加热、加湿、酸或碱等化学试剂的环境中,也可以适宜地发挥流平性、润湿性、浸透性、防污性等。-X-:-O- -S--X′:-H(式中,R表示含有氟化烷基的取代基,R’表示氢原子或甲基,R”表示氢原子或者非氟化取代基,-X-表示上述4种连接基中的任一种,-X’表示上述3种取代基中的任一种。另外,n表示0或1以上的整数,m表示1以上的整数。其中,n+m为2以上的整数)。

    有机晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102105987A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200980128991.9

    申请日:2009-06-29

    Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中,进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一,提供一种有机晶体管,其特征在于,该有机晶体管在基板(a)上具有:栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e),其中,在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二,提供一种有机晶体管的制造方法,其特征在于,其为有机晶体管的制造方法,其中,具有如下工序:通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布,在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序;或,通过印刷或涂布,在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。

    含氟酚醛清漆型树脂、氟系表面活性剂、氟系表面活性剂组合物以及树脂组合物

    公开(公告)号:CN101631809A

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200880005668.8

    申请日:2008-05-21

    CPC classification number: C08G8/28 C08L61/06

    Abstract: 本发明涉及用下述通式(I)表示的含氟酚醛清漆型树脂、使用该树脂的氟系表面活性剂以及树脂组合物。添加有所述含氟酚醛清漆型树脂等的材料,在加工工序中或者作为加工后的制品使用时,即使暴露于加热、加湿、酸或碱等化学试剂的环境中,也可以适宜地发挥流平性、润湿性、浸透性、防污性等(式中,R表示含有氟化烷基的取代基,R’表示氢原子或甲基,R”表示氢原子或者非氟化取代基,-X-表示上述4种连接基中的任一种,-X’表示上述3种取代基中的任一种。另外,n表示0或1以上的整数,m表示1以上的整数。其中,n+m为2以上的整数)。

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