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公开(公告)号:CN105264635A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201380074020.7
申请日:2013-12-30
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01J37/317
CPC分类号: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2814 , H01J2237/31745
摘要: 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法,所述方法包括将束引导向样本表面;研磨表面以暴露在样本中的第二表面,其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度;将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像;通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像;将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
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公开(公告)号:CN104048979A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410094487.4
申请日:2014-03-14
申请人: FEI公司
发明人: T.G.米勒
IPC分类号: G01N23/22
CPC分类号: G01B15/00 , G01B2210/56 , G06T7/0004 , G06T7/60 , G06T2207/10056 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J2237/24578 , H01J2237/2814
摘要: 多重图像度量。使用源自一条或多条带电粒子束的多张已配准图像执行度量。测量使来自一张图像的在第二图像中不可见的特征组合以确定从单张图像不能确定的关系。在一个实施例中,测量使用来自不同元素地图的特征来确定两个特征之间的关系,如在距离该第二图像上的特征一定距离确定的位置处的该第一图像内的两个特征之间的距离或角度。
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公开(公告)号:CN1849497A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200480025993.2
申请日:2004-07-12
申请人: 应用材料以色列公司
IPC分类号: G01B15/04 , H01J37/28 , G01R31/305
CPC分类号: H01J37/1478 , G01B15/04 , G01N23/2251 , G01R31/307 , H01J37/28 , H01J2237/24578 , H01J2237/2487 , H01J2237/2611 , H01J2237/2814 , H01J2237/2816 , H01J2237/2817
摘要: 本发明涉及一种系统和方法,其用于测定具有次微米横断面的被测元件的横断面特征,该横断面是由位于第一断面(first traverse section)及第二断面(first traverse section)之间的中间面(intermediate section)所定义。该方法的第一步骤是以第一倾斜状态扫描一参考结构元件的第一部分及被测元件的至少第一断面,用以决定该参考结构元件与该第一断面之间的第一关系。第二步骤是以第二倾斜状态扫描参考结构元件的第二部分,及扫描被测元件的至少第二断面,用以决定该参考结构元件与该第二断面之间的第二关系。第三步骤为根据该第一及第二关系决定该被测元件的横断面特征。
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公开(公告)号:CN102207472B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201110078266.4
申请日:2011-03-30
申请人: FEI公司
发明人: R.坦纳
IPC分类号: G01N23/22
CPC分类号: H01J37/3005 , G01N1/286 , H01J37/26 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J37/30 , H01J37/3045 , H01J37/3056 , H01J2237/2611 , H01J2237/28 , H01J2237/2803 , H01J2237/2814 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供用于观察特征的自动化片状铣削。提供一种利用带电粒子束系统执行切削和观察技术的方法和设备。通过机器视觉定位样品图像中的感兴趣的特征,并且至少部分地通过分析由所述机器视觉收集的数据来确定将在后续切削和观察迭代中铣削及成像的区域。所确定的铣削区域可以被表示成围绕特征的限位框,其维度可以根据所述分析步骤而改变。于是,在双束系统中,相应地调节FIB以便在后续切削和观察迭代中切削和铣削出新的面,并且SEM对所述新的面进行成像。由于本发明精确地定位所述特征并且确定将要铣削及成像的区域的适当尺寸,因此就通过防止对不包含所感兴趣的特征的基底进行不必要的铣削而提高了效率。
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公开(公告)号:CN102207472A
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN201110078266.4
申请日:2011-03-30
申请人: FEI公司
发明人: R.坦纳
IPC分类号: G01N23/22
CPC分类号: H01J37/3005 , G01N1/286 , H01J37/26 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J37/30 , H01J37/3045 , H01J37/3056 , H01J2237/2611 , H01J2237/28 , H01J2237/2803 , H01J2237/2814 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供用于观察特征的自动化片状铣削。提供一种利用带电粒子束系统执行切削和观察技术的方法和设备。通过机器视觉定位样品图像中的感兴趣的特征,并且至少部分地通过分析由所述机器视觉收集的数据来确定将在后续切削和观察迭代中铣削及成像的区域。所确定的铣削区域可以被表示成围绕特征的限位框,其维度可以根据所述分析步骤而改变。于是,在双束系统中,相应地调节FIB以便在后续切削和观察迭代中切削和铣削出新的面,并且SEM对所述新的面进行成像。由于本发明精确地定位所述特征并且确定将要铣削及成像的区域的适当尺寸,因此就通过防止对不包含所感兴趣的特征的基底进行不必要的铣削而提高了效率。
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公开(公告)号:CN100495634C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN02819609.0
申请日:2002-10-02
申请人: 佳能株式会社
IPC分类号: H01J37/20 , H01J37/317 , H01J37/28
CPC分类号: H01J37/28 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/304 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/2814 , H01J2237/30455 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供一种截面评估装置,其能够在样品温度被调节的状态下分析截面结构。本发明还公开了一种信息获取装置,其包括用于放置样品的平台、用于调节样品的温度的温度调节装置、用于使想要得到信息的样品的表面曝光的曝光装置、以及用于获取与由曝光装置曝光的表面有关的信息的信息获取装置。
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公开(公告)号:CN104990773A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201510298187.2
申请日:2011-03-30
申请人: FEI公司
发明人: R.坦纳
CPC分类号: H01J37/3005 , G01N1/286 , H01J37/26 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J37/30 , H01J37/3045 , H01J37/3056 , H01J2237/2611 , H01J2237/28 , H01J2237/2803 , H01J2237/2814 , H01J2237/30472 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供用于观察特征的自动化片状铣削。提供一种利用带电粒子束系统执行切削和观察技术的方法和设备。通过机器视觉定位样品图像中的感兴趣的特征,并且至少部分地通过分析由所述机器视觉收集的数据来确定将在后续切削和观察迭代中铣削及成像的区域。所确定的铣削区域可以被表示成围绕特征的限位框,其维度可以根据所述分析步骤而改变。于是,在双束系统中,相应地调节FIB以便在后续切削和观察迭代中切削和铣削出新的面,并且SEM对所述新的面进行成像。由于本发明精确地定位所述特征并且确定将要铣削及成像的区域的适当尺寸,因此就通过防止对不包含所感兴趣的特征的基底进行不必要的铣削而提高了效率。
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公开(公告)号:CN100592028C
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:CN200580049003.3
申请日:2005-12-22
申请人: 精工电子纳米科技有限公司
CPC分类号: G01B15/02 , G01N23/225 , H01J2237/2814
摘要: 在将电子束照射到薄膜样品、探测所产生的二次电子并通过利用二次电子来测量薄膜样品膜厚的薄膜样品测量方法中,实现了精确地在短时间内容易地测量该膜厚,即使当该照射的电子束电流量变化时。照射电子束(2b),并由二次电子探测器(6)探测所产生的二次电子(4)。由第一计算装置(11)计算由在膜厚测量区域探测到的二次电子数量和在参考区域探测到的二次电子数量构成的计算值。基于标准薄膜样品的校准数据和从样品(5)获得的计算值,可以计算该膜厚测量区域的膜厚。
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公开(公告)号:CN101137889A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200580049003.3
申请日:2005-12-22
申请人: 精工电子纳米科技有限公司
CPC分类号: G01B15/02 , G01N23/225 , H01J2237/2814
摘要: 在将电子束照射到薄膜样品、探测所产生的二次电子并通过利用二次电子来测量薄膜样品膜厚的薄膜样品测量方法中,实现了精确地在短时间内容易地测量该膜厚,即使当该照射的电子束电流量变化时。照射电子束(2b),并由二次电子探测器(6)探测所产生的二次电子(4)。由第一计算装置(11)计算由在膜厚测量区域探测到的二次电子数量和在参考区域探测到的二次电子数量构成的计算值。基于标准薄膜样品的校准数据和从样品(5)获得的计算值,可以计算该膜厚测量区域的膜厚。
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公开(公告)号:CN1565042A
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN02819609.0
申请日:2002-10-02
申请人: 佳能株式会社
IPC分类号: H01J37/20 , H01J37/317 , H01J37/28
CPC分类号: H01J37/28 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/304 , H01J2237/2001 , H01J2237/2002 , H01J2237/2814 , H01J2237/30455 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供一种截面评估装置,其能够在样品温度被调节的状态下分析截面结构。本发明还公开了一种信息获取装置,其包括用于放置样品的平台、用于调节样品的温度的温度调节装置、用于使想要得到信息的样品的表面曝光的曝光装置、以及用于获取与由曝光装置曝光的表面有关的信息的信息获取装置。
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