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公开(公告)号:CN104272425A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201380022774.8
申请日:2013-04-25
申请人: 阿卡姆股份有限公司
IPC分类号: H01J37/077 , B29C67/00
CPC分类号: H01J29/52 , B29C64/153 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , H01J37/077 , H01J37/305 , H01J37/3178 , H01J2237/043 , H01J2237/3128 , H01J2237/31732
摘要: 本发明涉及一种等离子体电子源装置(150)。所述装置包含阴极放电室(100),在阴极放电室(100)中产生等离子体;提供在所述阴极放电室中的出口孔(120),通过提供在所述阴极放电室(100)与阳极(104)之间的加速场从出口孔(120)并从所述等离子体(107)中提取电子;至少一个等离子体约束设备(例如,电磁线圈103);以及切换机构(190),其用于在允许从所述等离子体中提取电子的第一值与阻止从所述等离子体中提取电子的第二值之间切换所述至少一个等离子体约束设备。也提供了关联方法,特别是使用所述装置(150)的方法,所述装置(150)用于通过连续熔合提供在工作台上的粉床的至少一个层的部分而形成三维物品。
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公开(公告)号:CN104241067A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410376713.8
申请日:2014-06-09
申请人: FEI公司
IPC分类号: H01J37/30 , H01J37/305
CPC分类号: H01J37/3053 , C23F4/02 , H01J37/3002 , H01J2237/0206 , H01J2237/2001 , H01J2237/24445 , H01J2237/2608 , H01J2237/31732 , H01J2237/31749 , H01L21/3065 , H01L21/465
摘要: 公开了一种电子束感应蚀刻。束感应蚀刻使用维持在接近前体材料的沸点的温度处的工件,但是该温度足够高以脱附反应副产物。在一个实施例中,NF3被用作用于在低于室温的温度下进行硅的电子束感应蚀刻的前体气体。
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公开(公告)号:CN103512567A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310255880.2
申请日:2013-06-25
申请人: FEI公司
IPC分类号: G01C15/02
CPC分类号: H01J37/30 , H01J37/28 , H01J37/3045 , H01J2237/2811 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , Y10T428/24488 , Y10T428/24802
摘要: 一种用于在样品上形成基准并且使用该基准来定位该样品上的所感兴趣的区域的方法和系统,该方法包括通过以下步骤来形成一个基准:在样品上接近于该样品上的所感兴趣的区域处来沉积一种材料块,该材料块从该样品的表面延伸至该样品表面上方的可检测范围;并且使用一个带电粒子束在该材料块的至少两个暴露面中铣削一个预定图案;在形成该基准之后,通过检测该基准的位置来检测该所感兴趣的区域的位置;并且在检测到该所感兴趣的区域的位置之后,用一个带电粒子束来对该所感兴趣的区域进行成像或铣削。
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公开(公告)号:CN105908150B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201610103190.9
申请日:2016-02-25
申请人: FEI 公司
发明人: J.J.L.穆德斯 , P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 , P.多纳
IPC分类号: C23C16/455
CPC分类号: C23C14/221 , B05B1/005 , B05B1/14 , B05B7/24 , H01J37/30 , H01J2237/006 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
摘要: 本发明涉及用于在粒子光学仪器的真空室中施用至少两种流体的喷气系统(GIS),喷气系统具有两个或更多个通道(102,110),各个通道在第一侧连接至容纳流体的相关联的贮藏器,并且在另一侧具有相关联的出口开口,出口侧经由具有喷嘴开口的喷嘴而单独地退出至GIS的外侧,其特征在于,至少两个出口开口(106,108)以比出口开口附近的通道的直径更小的距离分离,优选地,彼此同中心。本发明还涉及前述GIS的使用,其中中心喷嘴引导高通量的例如氧气,而外部的同中心的喷嘴将例如MeCpPtMe3的金属前驱体以更小两个数量级的通量引导至样品。在单步骤式沉积方法中,通过高通量的氧气而使纯化的金属沉积。喷嘴能够形成为附加喷嘴,使得能够将现有的GIS升级。优选地通过使用例如钛的3‑D打印技术而制造喷嘴。
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公开(公告)号:CN104103480B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201410132480.7
申请日:2014-04-03
发明人: J.J.L.穆德斯 , R.T.J.P.格尔特斯 , P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 , E.G.T.博世
IPC分类号: H01J37/08
CPC分类号: C23C14/48 , G01N1/286 , G01N1/32 , H01J37/02 , H01J37/3053 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J2237/004 , H01J2237/006 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31742 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要: 本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化,以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时,问题是:薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明通过在GIS的毛细管(201)与样本(200)之间施加电压差并将离子或电子束206)引导到气体喷射(207)来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离,其中(当在样本与GIS之间使用低电压时)发生低能量铣削,并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。
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公开(公告)号:CN102618852A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201210020842.4
申请日:2012-01-30
申请人: FEI公司
IPC分类号: C23C16/513
CPC分类号: C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
摘要: 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料,如锡。申请人已经发现,通过使用甲基化或乙基化金属,如六甲基二锡作为前体,可以沉积电阻率低至40µΩ. cm的材料。
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公开(公告)号:CN101971091A
公开(公告)日:2011-02-09
申请号:CN200980106819.3
申请日:2009-02-24
申请人: 卡尔蔡司SMS有限责任公司
IPC分类号: G03F1/00
CPC分类号: G03F1/74 , C23C16/047 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/24495 , H01J2237/30466 , H01J2237/30483 , H01J2237/31732 , H01J2237/31744
摘要: 本发明涉及一种加工具有微型化结构的物体的方法,具有步骤:将反应气体送到物体的表面上;为了在物体上沉积材料或从物体移除材料,通过将能量束引导到物体的表面上的要被加工的区域中的加工位置上来加工物体;探测该束与物体的相互作用产物,以及借助于从束与物体的探测的相互作用产物获得的信息,决定物体的加工是必须继续还是可被终止,为了确定所述物体的加工是必须继续还是可被终止,要被加工的区域被分解成为多个表面片段,且相同的表面片段的束照射的区域上探测的相互作用的产物被积分以形成总信号。
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公开(公告)号:CN1906725A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200480037422.0
申请日:2004-10-15
申请人: 塞恩技术有限公司
发明人: 韦恩·圣蒂
IPC分类号: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号: H01J27/146 , H01J37/08 , H01J2237/31732
摘要: 本发明公开一种用于从等离子产生离子束的离子源(100)。在阳极(112)的中心处通过可电离气体的高能电子和分子之间的碰撞产生等离子。电子源自阴极丝,并且通过施加的电势被加速到阳极(112)。阳极的突起(123)和具有与阳极的轴线对齐的轴线的磁场共同作用将电子的流动聚集于阳极(112)的中心。可电离的气体在聚集电子流的位置处或者通过阳极(112)侧壁中的通道(125)或者通过延伸进入电离区域的气体输送管子经由离子源的开口端被引入到离子源(100)的电离区域(113)。产生在电离区域中的离子从离子源被排出作为集中在磁场轴线上的离子束。阳极(112)包括容纳冷却流体的腔(127)。
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公开(公告)号:CN104094375B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380007984.X
申请日:2013-02-01
申请人: 株式会社日立高新技术
CPC分类号: C23C14/221 , H01J37/3178 , H01J2237/31732 , H01J2237/31735
摘要: 本发明的目的在于提供在带电粒子线装置的真空室内不使用气相沉积法等而进行布线加工的布线方法及带电粒子线装置。为了达到上述目的,本发明提供如下的布线方法及带电粒子线装置,即,向试样上滴下离子液体或预先在载置试样的试样台上准备离子液体,向布线加工起点与布线加工终点之间的布线轨道上照射带电粒子线而形成由离子液体构成的布线。根据这样的结构,能不使用气相沉积法等而在带电粒子线装置的真空室内进行布线加工。
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公开(公告)号:CN102618852B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201210020842.4
申请日:2012-01-30
申请人: FEI公司
IPC分类号: C23C16/513
CPC分类号: C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/407 , H01J2237/31732 , H01L21/28556 , H01L21/76877 , H01L21/76892
摘要: 改进的沉积低电阻率金属的束沉积方法。本发明的优选实施方案使用新型聚焦离子束诱导沉积前体沉积低电阻率金属材料,如锡。申请人已经发现,通过使用甲基化或乙基化金属,如六甲基二锡作为前体,可以沉积电阻率低至40μΩ?cm的材料。
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