公开(公告)号：CN105321873B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410770276.8

申请日：2014-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈品彣 ,  张志维

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329

摘要： 本发明公开了导电结构及其制造方法。在一些实施例中，一种形成导电结构的方法包括：提供在其中形成有凹槽的衬底，该凹槽内衬有第一晶种层且部分填充有第一导电材料；去除第一晶种层的不包含第一导电材料的部分以形成凹槽的暴露表面；将第二晶种层内衬于凹槽的暴露表面；以及使用第二导电材料填充凹槽，第二导电材料覆盖第一导电材料和第二晶种层。

公开(公告)号：CN108780742A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014454.6

申请日：2017-03-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 晓东·王 ,  李靖珠 ,  张富宏 ,  马丁·李·瑞克 ,  基思·A·米勒 ,  威廉·弗鲁赫特曼 ,  汪荣军 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  守印·张 ,  唐先明

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C14/351 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3458 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76879

摘要： 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。

公开(公告)号：CN108666268A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810257416.X

申请日：2018-03-27

申请人： 格芯公司

发明人： 谢瑞龙 ,  拉尔斯·赖柏曼 ,  尼格尔·凯夫 ,  恩德·拉伯特 ,  尼古拉斯·利考西 ,  古拉密·波奇 ,  朴灿柔

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/764 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/7685

摘要： 本发明涉及形成气隙及在晶体管的主动区上面的栅极接触的方法，一种方法包括进行刻蚀程序以界定使栅极结构的上表面及诸侧壁其中至少一部分曝露的栅极凹穴、以及在栅极结构的受曝露侧壁相邻处形成取代间隔物结构，其中，取代间隔物结构使栅极结构的上表面的一部分曝露并且包括至少一个空气空间。在此例中，该方法也包括在栅极凹穴中形成保形刻蚀终止层及取代栅极覆盖结构、选择性移除取代栅极覆盖结构的一部分及保形刻蚀终止层的一部分以便藉此使栅极结构的上表面曝露、以及在传导栅极接触开口中形成传导栅极接触结构(CB)，其中，整个传导栅极接触结构(CB)垂直置于主动区上面。

公开(公告)号：CN108538810A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710888495.X

申请日：2017-09-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴相真 ,  权奇相 ,  白在职 ,  高镛璿 ,  李光旭

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L23/53204 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/785

摘要： 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

公开(公告)号：CN104600064B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410106015.6

申请日：2014-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶德强 ,  余国宠 ,  洪瑞斌

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。

公开(公告)号：CN105321927B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410768913.8

申请日：2014-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘相玮 ,  杨岱宜 ,  庄正吉 ,  林天禄

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及形成BEOL金属化层的方法和相关联的装置，该方法使用不同的导电材料(例如，金属)来填充层间介电层中的不同尺寸的开口。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片，集成芯片具有设置在第一BEOL金属化层内并且包括第一导电材料的第一多个金属互连结构。集成芯片还具有在第一BEOL金属化层内的与第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置的第二多个金属互连结构。第二多个金属互连结构具有与第一导电材料不同的第二导电材料。通过使用不同的导电材料在同一BEOL金属化层内形成不同的金属互连结构，可以缓解窄BEOL金属互连结构中的间隙填充问题，从而提高集成芯片的可靠性。

公开(公告)号：CN105210462B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380076622.6

申请日：2013-05-14

申请人： 名幸电子有限公司

发明人： 户田光昭 ,  松本徹 ,  村田圣子

IPC分类号： H05K3/46

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/188 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/10166 ,  H01L2924/00

摘要： 一种元器件内置基板(20)的制造方法中，在形成外侧金属层(14)后，形成从外侧金属层(14)起贯通第1绝缘层(5)及第2绝缘层(11)并到达IC元器件(4)第2端子(4b)的导通孔(16)。

公开(公告)号：CN104947065B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510142640.0

申请日：2015-03-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 堀田隼史 ,  饗场康

IPC分类号： C23C16/14

CPC分类号： H01L21/76883 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明不使工序变得繁杂且即使微细化也不对基底产生恶劣影响，并且以高生产量形成消除了埋入部分的孔隙或接缝的钨膜。在腔室内配置具有孔的晶片，同时或交替供给WCl6气体和H2气体，将晶片加热并使这些气体反应，在孔内形成钨的埋入部(步骤1)，接着，向腔室内供给WCl6气体，对埋入部的上部进行蚀刻，形成开口(步骤2)，接着，向腔室内同时或交替供给WCl6气体和还原气体，将晶片加热并使WCl6气体和还原气体反应，对具有形成有开口的埋入部的晶片形成钨膜(步骤3)。

公开(公告)号：CN105144347B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480022902.3

申请日：2014-04-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 罗伯特·B·穆尔 ,  大卫·西尔韦蒂 ,  保罗·沃思 ,  兰迪·哈里斯

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/687

CPC分类号： C25D17/06 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76879

摘要： 在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用于将该接触环移动于这些处理器和该环件服务模块之间，该夹盘可被快速地附接至该旋转器和从该旋转器释放。

公开(公告)号：CN104934409B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。