公开(公告)号：CN101277910A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036302.8

申请日：2006-09-25

Applicant: H.C.施塔克公司 ,  H.C.施塔克制陶业有限两合公司

Inventor： P·库马 ,  G·沃汀 ,  R·R·吴

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/453 ,  C04B35/117 ,  C04B35/495 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/28 ,  C04B35/01 ,  C04B35/111 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/086

Abstract: 本发明涉及一种主要由以下组分组成的组合物：a)约0.1－60摩尔％的MoO2，b)约0－99.9摩尔％的In2O3，c)约0－99.9摩尔％的SnO2，d)约0－99.9摩尔％的ZnO，e)约0－99.9摩尔％的Al2O3，f)约0－99.9摩尔％的Ga2O3，其中组分b)－f)之和约为40－99.9摩尔％，其中所述摩尔百分数是基于产品的总量为基准计，所述组分a)－e)之和为100。本发明还涉及该组合物的煅烧产品，由所述煅烧产品制得的溅射靶和由所述组合物制得的透明导电膜。

公开(公告)号：CN101360576A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680038682.9

申请日：2006-10-16

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： M·E·盖多斯 ,  P·库马 ,  S·米勒 ,  N·C·米尔斯 ,  G·罗扎克 ,  J·A·希尔茨 ,  R·R·吴

IPC: B22F3/15 ,  B22F7/06 ,  B23K20/02 ,  C22C1/04 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/15 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  B22F5/006 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/04

Abstract: 本发明提供了钼钛溅射靶。一方面，所述靶基本上不含β(Ti，Mo)合金相。另一方面，所述靶基本上由单相β(Ti，Mo)合金组成。在这两种情况下，溅射过程中的微粒排放减少。本发明还提供了制备所述靶的方法，将靶接合起来制造大面积溅射靶的方法，以及由所述靶制造的膜。