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公开(公告)号：CN108778573A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015012.3
申请日：2017-03-01
Applicant: H.C.施塔克公司
Inventor： M·T·斯托沃伊
CPC classification number: B21C1/02 , B22D7/005 , B22F3/02 , B22F3/1055 , B22F3/24 , B22F5/12 , B22F2301/20 , B23K9/044 , B23K9/24 , B23K9/295 , B23K15/0086 , B23K15/0093 , B23K2103/08 , B32B15/01 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C27/04 , F27D11/08 , Y02P10/295
Abstract: 在各实施例中，本发明涉及通过包括以下步骤的工序制造三维部件的方法：提供包含经电弧熔化的耐火金属材料的线材；相对于平台平移所述线材的前端；当平移所述线材的前端时，用能量源熔化所述线材的前端以形成熔珠，由此珠粒冷却以形成三维部件层的至少一部分；和重复步骤(b)和(c)一次或多次以产生三维部件。
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公开(公告)号：CN105593406A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054142.4
申请日：2014-07-31
Applicant: H.C.施塔克公司
Inventor： S·A·米勒
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J2237/081 , H01J2237/332
Abstract: 在各种实施方案中，通过喷涂沉积靶材的颗粒以至少部分填充某些区域(例如，最深侵蚀的区域)而在其他侵蚀区域(例如，更少侵蚀的区域)内没有喷涂沉积来部分地翻新侵蚀溅射靶。在溅射性能(例如，溅射速率)和/或溅射膜的性能没有实质性改变的情况下，部分地翻新的溅射靶可以在部分翻新后溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104040020B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280062209.X
申请日：2012-12-13
Applicant: H.C.施塔克公司
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/3407 , C23C24/04
Abstract: 在各个实施方案中，将用过的溅射靶通过在靶材喷涂沉积期间维持喷涂沉积枪(320)与靶的凹陷的表面外形(330)之间的大的倾斜角(300)来至少部分地翻新。
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公开(公告)号：CN101368262B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810213705.6
申请日：2006-04-28
Applicant: H.C.施塔克有限公司 , H.C.施塔克公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J35/108 , B22F7/08 , C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J35/08 , H01J2235/081 , H01J2235/083 , H01J2235/085 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明公开了一种向表面施加涂层的方法，其中，气流与选自铌、钽、钨、钼、钛、锆、它们中的至少两种的混合物、或者它们中的至少两种的合金或它们与其它金属的合金的粉末材料形成气体-粉末混合物，所述粉末的粒度为0.5-150μm，其中，将超音速赋予所述气流，并将该超音速的喷射口导向物体的表面。
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公开(公告)号：CN100549202C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
Applicant: H.C.施塔克公司
Inventor： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号：CN101522342A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036469.9
申请日：2007-10-03
Applicant: H.C.施塔克公司
IPC: B22F1/00
CPC classification number: B22F1/0088 , B05D1/12 , B05D2401/32 , B22F1/0085 , B22F2999/00 , C23C24/04 , B22F2201/10 , B22F2202/13 , B22F9/20
Abstract: 本发明涉及用于制备纯度至少高达起始粉末的纯度、氧含量等于或小于10ppm的金属粉末的方法，所述方法包括在惰性气氛中、在1－10－7巴的压力下加热以氧化物形式总共含有50－3000ppm氧的所述金属粉末至其中的氧化物变得热力学不稳定的温度，通过挥发除去产生的氧。所述金属粉末优选自钽、铌、钼、铪、锆、钛、钒、铼和钨。本发明还涉及通过所述方法生产的粉末以及这些粉末在冷喷涂工艺中的应用。
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公开(公告)号：CN101368262A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810213705.6
申请日：2006-04-28
Applicant: H.C.施塔克有限公司 , H.C.施塔克公司
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J35/108 , B22F7/08 , C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J35/08 , H01J2235/081 , H01J2235/083 , H01J2235/085 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明公开了一种向表面施加涂层的方法，其中，气流与选自铌、钽、钨、钼、钛、锆、它们中的至少两种的混合物、或者它们中的至少两种的合金或它们与其它金属的合金的粉末材料形成气体－粉末混合物，所述粉末的粒度为0.5－150μm，其中，将超音速赋予所述气流，并将该超音速的喷射口导向物体的表面。
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