公开(公告)号：CN101594955A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880002255.4

申请日：2008-01-15

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： P·库马 ,  C·B·伍德 ,  G·罗扎克 ,  S·A·米勒 ,  G·泽曼 ,  R·-C·R·吴

IPC: B22F3/10 ,  B22F3/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/1017 ,  B22F2003/241 ,  B22F2003/247 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  B22F3/04 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明涉及通过压制/烧结处理生产高密度难熔金属产品的方法。本发明还涉及生产溅射靶的方法以及由此生产的溅射靶。

公开(公告)号：CN100549202C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580037265.8

申请日：2005-08-29

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： B·勒蒙 ,  J·希尔特 ,  T·威维林 ,  J·G·戴利三世 ,  D·米恩德林 ,  G·罗扎克 ,  J·奥格拉迪 ,  P·R·杰普森 ,  P·库马 ,  S·A·米勒 ,  吴荣祯 ,  D·G·施沃茨

IPC: C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F5/006 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0247 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3478 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10

Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

公开(公告)号：CN101360576A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680038682.9

申请日：2006-10-16

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： M·E·盖多斯 ,  P·库马 ,  S·米勒 ,  N·C·米尔斯 ,  G·罗扎克 ,  J·A·希尔茨 ,  R·R·吴

IPC: B22F3/15 ,  B22F7/06 ,  B23K20/02 ,  C22C1/04 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/15 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/045 ,  B22F5/006 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/1208 ,  B22F3/04

Abstract: 本发明提供了钼钛溅射靶。一方面，所述靶基本上不含β(Ti，Mo)合金相。另一方面，所述靶基本上由单相β(Ti，Mo)合金组成。在这两种情况下，溅射过程中的微粒排放减少。本发明还提供了制备所述靶的方法，将靶接合起来制造大面积溅射靶的方法，以及由所述靶制造的膜。

公开(公告)号：CN101057000A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580037265.8

申请日：2005-08-29

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： B·勒蒙 ,  J·希尔特 ,  T·威维林 ,  J·G·戴利三世 ,  D·米恩德林 ,  G·罗扎克 ,  J·奥格拉迪 ,  P·R·杰普森 ,  P·库马 ,  S·A·米勒 ,  吴荣祯 ,  D·G·施沃茨

IPC: C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F5/006 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0247 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3478 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10

Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。