公开(公告)号：CN118830055A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025594.9

申请日：2023-03-27

申请人： HPSP有限公司

发明人： 赵星吉

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供高压基板处理装置以及利用其的基板用高压化学气相沉积方法，所述高压基板处理装置，包括：腔室，具备用于容纳待处理基板的内部空间；流体供应模块，构成为与所述内部空间相连通，并对所述待处理基板供应流体；以及第一排气模块以及第二排气模块，构成为与所述内部空间相连通，并向彼此不同的路径排放所述流体，所述第一排气模块对所述内部空间的压力的调节量小于所述第二排气模块对所述内部空间的压力的调节量，所述第一排气模块仅在所述内部空间处于高于常压的高压时运行。

公开(公告)号：CN118525352A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202380015737.8

申请日：2023-01-05

申请人： HPSP有限公司

发明人： 赵星吉

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供一种半导体工艺的绝缘膜制造方法，其中，包括：将晶片配置在处理室内的步骤；向所述处理室以高于大气压的第一压力供应源气体，随着进行氧化工艺和氮化工艺中的至少一种工艺，在所述晶片形成绝缘膜的步骤；向所述处理室供应吹扫气体来吹扫所述源气体的步骤；以及向所述处理室以高于大气压的第二压力供应气氛气体，随着进行热处理工艺加强所述绝缘膜的步骤。

公开(公告)号：CN118575263A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202380015921.2

申请日：2023-01-10

申请人： HPSP有限公司

发明人： 赵星吉

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明提供一种使用双高压晶片处理设备的晶片高压处理方法，其中，包括：将晶片配置在第一高压晶片处理模块的第一处理室的步骤；在所述第一处理室，对所述晶片进行高压氧化、高压氮化、高压碳掺杂、及高压热处理中的一种的第一工艺的步骤；将所述晶片移送至第二高压晶片处理模块的第二处理室的步骤；以及在所述第二处理室，对所述晶片进行所述高压氧化、所述高压氮化、所述高压碳掺杂、及所述高压热处理中的另一种的第二工艺的步骤。

公开(公告)号：CN118451223A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280083048.6

申请日：2022-12-20

申请人： HPSP有限公司

发明人： 赵星吉

IPC分类号： C30B31/16 ,  C30B31/18 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供一种对晶片的薄膜的碳掺杂方法，其中，包括：将形成有薄膜的晶片配置于处理室内的步骤；向所述处理室供应气氛气体，使所述处理室的压力达到高于大气压的工艺压力的步骤；加热所述处理室，使所述处理室的温度达到工艺温度的步骤；以及将含有碳的源气体供应至所述处理室，随着所述源气体与所述薄膜在所述工艺压力及所述工艺温度下化学反应，所述碳被注入到所述薄膜中的步骤。