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公开(公告)号：CN101097275B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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公开(公告)号：CN101097275A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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