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公开(公告)号：CN109837512A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811055653.4
申请日：2018-09-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材，具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。
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公开(公告)号：CN109837512B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811055653.4
申请日：2018-09-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材，具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。
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公开(公告)号：CN109104860A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201880001220.2
申请日：2018-01-12
Applicant: JX金属株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F1/02 , B22F3/105 , B22F3/16 , B22F9/08 , B22F9/10 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y70/00 , C22C9/00
Abstract: 提供一种铜粉末及其制造方法，该铜粉末由于照射激光时的吸收率高，可有效率地进行热输入，故而可通过低能量的激光熔融结合，并且处理的便利性亦高。一种铜粉末，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率为18.9％～65.0％，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率/氧浓度所表示的指数为3.0以上。
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公开(公告)号：CN109104860B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880001220.2
申请日：2018-01-12
Applicant: JX金属株式会社
IPC: B22F10/28 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F3/16 , B22F9/08 , B22F9/10 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , C22C9/00
Abstract: 提供一种铜粉末及其制造方法，该铜粉末由于照射激光时的吸收率高，可有效率地进行热输入，故而可通过低能量的激光熔融结合，并且处理的便利性亦高。一种铜粉末，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率为18.9％～65.0％，对于波长λ＝1060nm的光的吸收率/氧浓度所表示的指数为3.0以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111364011A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910746078.0
申请日：2019-08-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。
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公开(公告)号：CN117396630A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038506.4
申请日：2022-05-27
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明的课题在于提供一种适合于形成低载流子浓度且高迁移率的半导体膜的溅射靶。一种溅射靶，所述溅射靶含有锌(Zn)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O)，其中，所述溅射靶含有以Ga/(Zn+Sn+Ga)的原子比计0.15以上且0.50以下的Ga，所述溅射靶含有以Sn/(Zn+Sn)的原子比计0.30以上且0.60以下的Sn，所述溅射靶的体积电阻率为50Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN118401695A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280085091.6
申请日：2022-11-21
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本公开的课题在于提供一种低载流子浓度且高载流子迁移率的氧化物膜和适合于形成该氧化物膜的氧化物溅射靶。一种氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)和氧(O)，并且满足下式(1)～(3)：(1)3×Sn/Zn＜Al；(2)Al/(Al+Sn+Zn)≤0.10；(3)0.33≤Sn/(Sn+Zn)≤0.60，其中，在式中，Al、Sn、Zn分别表示氧化物膜中的各元素的原子比。
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公开(公告)号：CN111364011B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910746078.0
申请日：2019-08-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。
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公开(公告)号：CN110295349A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910112452.1
申请日：2019-02-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本公开提供一种Ag分布均匀性高的AgIn溅射靶材及其制造方法。一种溅射靶材，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：|B－C|/A×100≤30(％)，在此，A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)；B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)；C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。
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