溅射靶
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108754437B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201810731798.5

    申请日:2015-02-03

    Inventor: 远藤瑶辅

    Abstract: 通过使铟制的靶主体与由不锈钢、钛或铝构成的衬管或衬板充分坚固地接合,防止进行溅射时的异常的发生。本发明的溅射靶由不锈钢、钛或铝的任一种材质构成的衬管或衬板与铟构成的靶主体的双层结构构成,使通过超声波探伤测定的所述衬管或衬板与靶主体之间的粘接率为95%以上。

    溅射靶材及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110295349A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910112452.1

    申请日:2019-02-13

    Abstract: 本公开提供一种Ag分布均匀性高的AgIn溅射靶材及其制造方法。一种溅射靶材,含有Ag,剩余部分由In以及不可避免的杂质构成,在所述溅射靶材中,Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示:|B-C|/A×100≤30(%),在此,A:溅射靶材整体中的Ag的含量(原子%);B:将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子%);C:将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子%)。

    IZO靶材及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109837512A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201811055653.4

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材,具有如下的整体组成:含有In、Sn和Zn,以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)=0.030~0.250、Sn/(In+Sn+Zn)=0.002~0.080,余量由O和不可避免的杂质构成,该IZO靶材具有靶材组织,所述靶材组织中分散有通过FE-EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。

    IZO靶材及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109837512B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201811055653.4

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明提供一种溅射膜的膜电阻不易受到溅射时的氧浓度影响的IZO靶材。一种IZO靶材,具有如下的整体组成:含有In、Sn和Zn,以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)=0.030~0.250、Sn/(In+Sn+Zn)=0.002~0.080,余量由O和不可避免的杂质构成,该IZO靶材具有靶材组织,所述靶材组织中分散有通过FE-EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。

    溅射靶
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108754437A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810731798.5

    申请日:2015-02-03

    Inventor: 远藤瑶辅

    Abstract: 通过使铟制的靶主体与由不锈钢、钛或铝构成的衬管或衬板充分坚固地接合,防止进行溅射时的异常的发生。本发明的溅射靶由不锈钢、钛或铝的任一种材质构成的衬管或衬板与铟构成的靶主体的双层结构构成,使通过超声波探伤测定的所述衬管或衬板与靶主体之间的粘接率为95%以上。

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