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公开(公告)号：CN1866339A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084783.1
申请日：2006-05-17
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0297 , G09G2320/0223 , G09G2320/043
Abstract: 本发明涉及一种用于驱动平板显示器的方法以其提高其图像质量和寿命。该驱动平板显示器的方法包括以下步骤：a)经由连接到数据线的象素晶体管存储容纳在数据线的寄生电容器和各个象素中的象素存储电容器(Cst)中的电荷，该数据线在不同于由数据电流写操作引起的发光时间的预定时间内进入浮动状态，直至当前电压达到象素晶体管的阀电压；以及b)经由象素晶体管执行数据电流的写入，从而平板显示器发光，其中该数据电流对应于由数据线驱动的象素。
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公开(公告)号：CN1770469A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107082.0
申请日：2001-07-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法，其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管，该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤：(a)在第一基底上形成预定触媒图形；(b)在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长；(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN100521240C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510107082.0
申请日：2001-07-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法，其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管，该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤：(a)在第一基底上形成预定触媒图形；(b)在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长；(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1251962C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01120632.2
申请日：2001-07-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: B82B3/00 , H01L29/772
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , G11C2213/17 , H01L27/28 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/057 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/90 , Y10S977/936 , Y10S977/938
Abstract: 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法，其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管，该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤：(a)在第一基底上形成预定触媒图形；(b)在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长；(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN100502611C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200480023377.3
申请日：2004-08-02
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L2251/5346 , Y10S428/917
Abstract: 公开了一种有机物场致发光器件，该有机物场致发光器件在第一电极和第二电极之间具有有机物多层结构，所述有机物多层结构包括：空穴注入层，形成在第一电极上，并且由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成；空穴迁移层，在空穴注入层上至少具有一层空穴迁移层；以及发射层，形成在空穴迁移层上。
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公开(公告)号：CN1334234A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01120632.2
申请日：2001-07-18
Applicant: LG电子株式会社
IPC: B82B3/00 , H01L29/772
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , G11C2213/17 , H01L27/28 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/057 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/90 , Y10S977/936 , Y10S977/938
Abstract: 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法,其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管,该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤:(a)在第一基底上形成预定触媒图形;(b)在第一基底上形成垂直生长防止层,该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长;(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔,以通过小孔露出触媒图形;(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1836470A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023377.3
申请日：2004-08-02
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L2251/5346 , Y10S428/917
Abstract: 公开了一种有机物场致发光器件，该有机物场致发光器件在第一电极和第二电极之间具有有机物多层结构，所述有机物多层结构包括：空穴注入层，形成在第一电极上，并且由至少一种选自有机材料的材料和至少一种选自无机材料的材料的混合物构成；空穴迁移层，在空穴注入层上至少具有一层空穴迁移层；以及发射层，形成在空穴迁移层上。
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公开(公告)号：CN1832223A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610008684.5
申请日：2006-02-21
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L51/529 , H01L27/3244 , H01L51/5221 , H01L51/5243
Abstract: 本发明公开了一种有机EL设备及其制造方法。该有机EL设备包括具有布置在有效区的第一电极的基板，形成于第一电极上的至少一个有机材料层，形成于该有机材料层上、以便延伸到该基板的无效区、以允许该设备的热量能够从中散发到外面的第二电极，和面对第二电极同时通过密封剂与位于密封线处的第二电极密封连接的密封盖。该有机EL设备能够有效地降低该设备的内部温度同时防止其劣化，由此显著地增加其使用寿命，并且增强该设备的界面稳定性，从而显著地抑制该设备性能的劣化。
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