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公开(公告)号：CN1577011A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410046199.8
申请日：2004-06-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1285 , H01L29/78603 , H01L29/78675
Abstract: 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键；对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在半导体层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。
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公开(公告)号：CN100378561C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510079768.3
申请日：2005-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上和象素区内的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
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公开(公告)号：CN1818764A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510131902.X
申请日：2005-12-15
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/136 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133723 , G02F1/13378 , G02F2001/133765
Abstract: 形成液晶显示器件的配向层的方法和装置。公开了一种用于形成配向层的方法，以防止由摩擦辊与基板之间的物理接触而产生的漏光，该方法包括：制备基板；在基板上涂布配向材料，以对液晶进行初始配向；对配向材料施加电场或磁场，以确定配向材料中的配向方向；以及对配向材料进行固化。
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公开(公告)号：CN1752825A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510079768.3
申请日：2005-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2202/02
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器结构。所述液晶显示器结构包括象素区和基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管毗邻象素区并且包括栅极；具有一顶面的栅绝缘层；栅绝缘层顶面上的源极和漏极；设置在栅绝缘层顶面上的半导体层，源极和漏极之间的半导体层限定一沟道区，半导体层包括小分子有机半导体材料；以及覆盖沟道区的第一钝化层，第一钝化层的顶面与源极和漏极各自的顶面吻合或是处在源极和漏极各自的顶面下方。
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公开(公告)号：CN1743930A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510077422.X
申请日：2005-06-16
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 制造有机薄膜晶体管的方法和用其制造液晶显示器件的方法。制造有机薄膜晶体管的方法包括在基板上形成栅极，在包含栅极的基板上形成栅绝缘层，用背面曝光工艺在栅绝缘层上形成有机有源图案，和在有机有源图案上形成源极和漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1605918A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410083491.7
申请日：2004-10-10
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , G03F7/20
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66742
Abstract: 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板器件包括：形成在基板上的选通线；与选通线交叉的数据线，在两者之间具有栅绝缘图案；位于选通线和数据线交叉处的薄膜晶体管；在由选通线和数据线的交叉所限定的像素区形成的并且连接到薄膜晶体管的像素电极；具有连接到选通线的下选通焊盘电极和连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极的选通焊盘部；具有连接到数据线的下数据焊盘电极和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极的数据焊盘部；以及在除了包括像素电极、上数据焊盘电极和上选通焊盘电极的区域以外的区域上形成的钝化膜图案，其中，像素电极形成于由钝化膜图案暴露的像素区域的栅绝缘图案上。
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公开(公告)号：CN101122719A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710127553.3
申请日：2007-06-28
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: H01L51/0541 , G02F1/136286 , H01L27/283 , H01L51/0021 , H01L51/055
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶显示器件的阵列基板，包括：基板上的数据线；与所述数据线接触的源极，与所述源极间隔分开的漏极以及与所述漏极连接的像素电极，其中所述源极、漏极和像素电极各包括透明导电材料；与所述源极和漏极接触的有机半导体层；在所述有机半导体层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的栅极；在所述栅极上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露出所述栅极的栅接触孔；以及在所述第一钝化层上的栅线，所述栅线通过所述栅接触孔与所述栅极连接。
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公开(公告)号：CN1885111A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610082984.8
申请日：2006-06-23
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/167 , H01L51/50
CPC classification number: H05B33/10 , G02F1/133305 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , Y10T29/49124 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49147 , Y10T29/53187 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998
Abstract: 本发明公开了一种基板转移方法和通过使用该方法制造柔性显示器的方法。用于转移基板的该方法包括：提供其上形成有凹槽的玻璃基板；将柔性基板对准在该玻璃基板上；将该柔性基板插在该玻璃基板的该凹槽中；并且转移该插有该柔性基板的玻璃基板用于处理。将该柔性基板插入固定到该玻璃基板的凹槽内，并且转移，或者在其上实施处理，由此该转移法得以简化并且能够获得工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN1862329A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510132209.4
申请日：2005-12-22
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种柔性显示器的制造方法包括步骤为：设置粘接层、第一钝化层和第二钝化层，所述粘接层包括位于支撑层的第一表面上的第一粘接材料、位于支撑层第二表面的第二粘接材料以及环绕第二粘接材料的边缘第三粘接材料的粘接层，其中第二粘接材料的粘接强度低于第一粘接材料的粘接强度，第三粘接材料的粘接强度高于第二粘接材料的粘接强度；第一钝化层粘附到支撑层的第一表面上，在二者之间设置有第一粘接材料；以及第二钝化层粘附到支撑层的第二表面上，在二者之间设置有第二粘接材料和第三粘接材料；从粘接层上剥离第一钝化层；将刚性基板粘附到第一粘接材料上；从粘接层上剥离第二钝化层；并将柔性基板粘附到第二和第三粘接材料上。
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