公开(公告)号：CN109391252A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810898922.7

申请日：2018-08-08

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： H·G·柯尼希斯曼 ,  H·T·艾克

IPC分类号： H03K17/16

CPC分类号： H03K17/08128 ,  H03K17/16

摘要： 本发明涉及用于功率半导体开关的控制装置，该功率半导体开关具有第一和第二功率电流连接端以及控制端，控制装置能够接收具有在时间上彼此间隔开的控制脉冲的控制信号，该控制装置具有：-设置用于与第一功率电流连接端电连接的第一电控制装置端，和设置用于与控制端电连接的第二电控制装置端，-驱动装置，其构造成根据用于驱动功率半导体开关的控制信号在第二控制装置端上产生驱动电压，-监测装置，其构造成，当存在至少两个彼此紧接的控制脉冲时，当从相应的控制脉冲的起始直至紧接在其后的控制脉冲的起始的相应第一时间段低于第一阈值且从相应的控制脉冲的终止直至紧接在其后的控制脉冲的终止的相应第二时间段低于第二阈值时产生报错信号。

公开(公告)号：CN107835002A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710858572.7

申请日：2017-09-20

申请人： 同方威视技术股份有限公司

发明人： 刘耀红 ,  赵自然 ,  刘晋升 ,  贾玮 ,  李伟 ,  阎忻水

IPC分类号： H03K17/0812 ,  H03K17/567

CPC分类号： H03K17/08128 ,  H03K17/567

摘要： 本公开提供了一种用于绝缘栅双极型晶体管IGBT的栅极保护电路，所述IGBT用作基于MARX发生器原理的固态脉冲调制器中的开关器件，所述栅极保护电路包括：稳压器件，用于相对于针对所述IGBT的栅极的地，向所述IGBT的发射极提供一个稳定的电压。

公开(公告)号：CN107342753A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710590701.9

申请日：2017-07-18

申请人： 广东美的制冷设备有限公司

发明人： 刘东子 ,  冯宇翔

IPC分类号： H03K17/0812 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687

CPC分类号： H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871

摘要： 本发明公开一种功率开关管的驱动保护电路、集成电路、IPM模块以及空调器。所述功率开关管的驱动保护电路，包括信号输入端、第一保护电路，信号输出端，钳位电路、开关以及选通控制电路；所述选通控制电路用于在检测到所述信号输入端输入的驱动信号的电压大于预设电压值时，控制所述开关开启/关断，以通过所述钳位电路的钳位作用将所述信号输出端所输出的驱动信号的电压钳位至一固定电压保护值。所述功率开关管的驱动保护电路采用主动控制驱动电压的方式，灵活地控制钳位电路接入/脱离与所述信号输出端，从而使输出至所述功率开关管受控端的驱动信号不会超出其允许的驱动电压范围，提高了对宽禁带材料功率开关管的驱动可靠性。

公开(公告)号：CN106357256A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610543503.2

申请日：2016-07-11

申请人： LS ,  产电株式会社

发明人： 南景勋 ,  康圣熙 ,  金钟培

IPC分类号： H03K17/74

CPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/164 ,  H03K17/168 ,  H03K17/18 ,  H03K17/689 ,  H03K17/74

摘要： 本公开内容涉及一种驱动半导体开关元件的栅极驱动器的驱动装置，其包括：栅极驱动器单元，其用于输出控制信号到所述半导体开关元件；以及控制单元，其用于通过操作配置所述栅极驱动器单元的至少一个栅极驱动器来控制所述半导体开关元件的操作，其中，所述控制单元基于所述半导体开关元件的预设操作范围和所述半导体开关元件的检测到的操作状态来操作所述至少一个栅极驱动器。

公开(公告)号：CN103033275B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210376118.5

申请日：2012-09-29

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 斯特凡·斯库勒

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01K7/01 ,  G01K7/346 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/0806

摘要： 本申请涉及一种用于测定半导体开关的温度的方法和设备，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该方法具有如下方法步骤：-通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关1），-测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间dt），以及-借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。此外，本发明涉及一种用于测定半导体开关（1）的温度（T）的相关设备。本发明使高动态地测定半导体开关（1）的温度成为可能。

公开(公告)号：CN105518993A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201380079392.9

申请日：2013-09-06

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 林启 ,  日山一明 ,  吉田健太郎

IPC分类号： H03K17/0812 ,  H03K17/16

CPC分类号： H03K17/08 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/162 ,  H03K17/168 ,  H03K17/60 ,  H03K17/74

摘要： 本发明的目的在于提供一种缓冲电路，该缓冲电路降低了在导通以及截止时施加至构成互补对的晶体管的反向电压。缓冲电路(100、300)进行开关元件(1)的导通以及截止，该缓冲电路(100、300)还具有：驱动侧元件，其一端与驱动用晶体管(4)的基极连接；以及灌入侧元件，其一端与灌入用晶体管(5)的基极连接，驱动侧元件以及灌入侧元件是各自的另一端即阳极以及阴极与控制电路(8)的输出端子连接的驱动侧二极管(6)以及灌入侧二极管(7)，或者是各自的另一端与驱动用晶体管(4)以及灌入用晶体管(5)的发射极连接的驱动侧电容器(12)以及灌入侧电容器(13)。

公开(公告)号：CN104426334A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410400467.5

申请日：2014-08-14

申请人： LS产电株式会社

发明人： 南景勋 ,  康圣熙 ,  金锺培

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02H7/20

CPC分类号： H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/163 ,  H03K17/168

摘要： 本发明提供了一种栅极驱动器及其操作方法。所述栅极驱动器放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极。高侧驱动芯片放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极。低侧驱动芯片放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极。所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子。所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。

公开(公告)号：CN102187557B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN200980140608.1

申请日：2009-07-22

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中山靖 ,  中川良介

IPC分类号： H02M1/08

CPC分类号： H02M1/08 ,  H03K17/08128 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0081

摘要： 为了得到可以通过简单的电路结构抑制功耗，同时可以实现针对电压变动dV/dt的高速响应，可以防止功率用半导体元件的误动作的功率用半导体元件的驱动电路，具备：控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；直流电源，对功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及开关元件，连接在功率用半导体元件的控制端子之间，开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路。

公开(公告)号：CN104052443A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410087712.1

申请日：2014-03-11

申请人： 株式会社电装

发明人： 山内一辉 ,  千田康隆

IPC分类号： H03K17/04 ,  H03K17/567

CPC分类号： H03K17/08128

摘要： 栅极驱动电路包括：具有用于在两个电平之间切换驱动电压（VOM）的电压值的输出切换功能的供电电路（11）、将恒定电流（Ia）从供电电路（11）的输出端子（Po）输出到IGBT（6）的栅极的栅极接通驱动电路（12）、以及在接通时通过操作栅极接通驱动电路（12）来执行IGBT（6）的栅极的恒定电流驱动的控制部分（4）。在接通开始时，控制部分（4）将驱动电压（VOM）设置到相对高的第一设定值（VOM1），并接着在镜像时间段结束时间之后的开关时刻将驱动电压（VOM）切换到相对低的第二设定值（VOM2）。

公开(公告)号：CN103840641A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310073800.1

申请日：2013-03-07

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 许畅宰 ,  方诚晚

IPC分类号： H02M1/08 ,  H02P27/06

CPC分类号： H02P6/14 ,  H02M1/088 ,  H02M2001/0029 ,  H02P27/08 ,  H03K17/08128

摘要： 提供了一种驱动电路、驱动模块以及电机驱动装置，其能够调节用于驱动功率半导体器件的驱动电流。该驱动电路包括：驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至半导体器件的驱动信号的相移时间以及将所检测的时间与预设参考时间进行比较以控制驱动信号的相移时间；以及驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和定时控制单元的定时控制信号，提供用于在驱动单元的多个驱动器中选择被驱动的驱动器的选择信号。