公开(公告)号：CN105553440B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510685819.0

申请日：2015-10-21

申请人： 亚德诺半导体集团

发明人： Y·A·阿特萨尔 ,  P·J·卡特真

IPC分类号： H03H11/24

CPC分类号： H03H11/245 ,  H03H7/25 ,  H03K17/163

摘要： 公开了用于减小数字步进衰减器中的假信号的装置和方法。通过配置多位DSA使得衰减控制块以对DSA的各个开关定序的方式改变多个控制信号，能够减小假信号，并且能够增强RF信号行为。基于单元时间延迟的序列使得暂态衰减值定界在最小值与最大值之间且能够改善稳定时间。

公开(公告)号：CN109690951A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780045108.4

申请日：2017-07-20

申请人： 黑拉有限责任两合公司

发明人： 卢俊诚 ,  H.白

IPC分类号： H03K17/16 ,  H02M1/08

CPC分类号： H03K17/284 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7805 ,  H02M3/3376 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/122 ,  H03K17/163 ,  H03K17/602 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/6872

摘要： 一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关，其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号产生栅极驱动信号。所述开关具有通过栅极驱动电阻器被连接到栅极驱动电路的栅极。所述栅极驱动电路包括NPN（或NMOS）接通晶体管和PNP（或PMOS）关断晶体管。所述栅极驱动电路包括被耦合到接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。所述接通和关断晶体管、栅极驱动电阻器、开关器件，但不是接通和关断电阻器被布置在集成电路中以减少栅极驱动环路电感。所述第一和第二电阻可以是不同的，以调整所述开关器件的接通和关断速度。

公开(公告)号：CN108337917A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201680061445.8

申请日：2016-10-17

申请人： 株式会社日立功率半导体

发明人： 竹内悠次郎 ,  森睦宏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H03K17/16 ,  H02M7/48 ,  H03K17/567 ,  H02M1/08 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H02M7/53875 ,  H02M2001/0048 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/08148 ,  H03K17/163 ,  Y02B70/1483

摘要： 一种电力变换装置(100)，具备开关元件(101)和相对所述开关元件(101)串联连接的整流元件(102)，其中所述电力变换装置(100)具有对所述开关元件(101)和所述整流元件(102)的连接点连接外部的电气负载(103)的结构，所述开关元件(101)由具有第一栅极端子(105)和第二栅极端子(106)的绝缘栅极型半导体元件构成，所述整流元件(102)由使用碳化硅作为半导体基体的具有肖特基接触的二极管构成，对所述第一栅极端子(105)和所述第二栅极端子(106)分别施加相互不同的驱动信号。

公开(公告)号：CN105814786B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201480067727.X

申请日：2014-12-12

申请人： 株式会社日立功率半导体

发明人： 石丸哲也 ,  恩田航平 ,  坂野顺一 ,  森睦宏

IPC分类号： H02M7/21 ,  H02M1/08 ,  H02M7/12

CPC分类号： H02M7/04 ,  H02M1/08 ,  H02M7/219 ,  H02M2001/0029 ,  H02M2007/2195 ,  H03K17/163 ,  Y02B70/1408

摘要： 本发明提供防止振荡且防止由噪声施加时的误动作而导致贯通电流流过的自主型同步整流MOSFET的整流装置。整流装置(132)具备：进行同步整流的整流MOSFET(101)；判定电路(103)，其输入整流MOSFET(101)的一对正极主端子TH与负极主端子TL间的电压，并根据输入的电压判定整流MOSFET(101)的导通/截止；以及栅极驱动电路(105)，其根据判定电路(103)的比较信号Vcomp进行整流MOSFET(101)的栅极的导通/截止，且构成为导通整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的升压所需的时间比截止整流MOSFET(101)时栅极电压Vgs的降压所需的时间长。

公开(公告)号：CN104348341B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201410375495.6

申请日：2014-08-01

申请人： 亚德诺半导体集团

发明人： 藤田高史

IPC分类号： H02M1/08

CPC分类号： H03K17/165 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/163 ,  H03K17/166

摘要： 本发明涉及用于开关功率阶段的防振铃技术。驱动器可以提供开关在两个阶段中在打开状态和关闭状态之间的转换。在第一阶段中，在开关的输出端的电压变化率可以被控制。在第二阶段中，开关的电流梯度可以被控制。在第一阶段和第二阶段之间的过渡可以基于在开关的输出端的电压值进行。

公开(公告)号：CN103457445B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310207038.1

申请日：2013-05-29

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 托马斯·基默

IPC分类号： H02M1/08

CPC分类号： H02M7/537 ,  H02M2001/0054 ,  H03K17/163 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0072 ,  Y02B70/1441 ,  Y02B70/1491

摘要： 在各个实施方式中，提供了晶体管的驱动电路，其中所述晶体管的驱动电路可包括：晶体管，具有控制端；二极管；电容器，具有第一端和第二端，其中该第一端可耦接至该控制端，第二端可经由二极管耦接至基准电位；以及电阻器，并联耦接至该电容器。

公开(公告)号：CN104065251B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201310096033.6

申请日：2013-03-18

申请人： 意法半导体研发(上海)有限公司

发明人： 王飞 ,  白文利

IPC分类号： H02M1/08

CPC分类号： H03K17/00 ,  H03K17/163

摘要： 本发明的一些实施例涉及具有受控栅极放电电流的驱动器电路。通过一种包括被配置用于感测驱动晶体管的漏极-源极电压的感测电路的电路，对具有漏极和源极的驱动晶体管的栅极进行放电。第一电流吸收路径耦合到驱动晶体管的栅极。当感测电流感测到驱动晶体管的较低漏极-源极电压时，第一电流吸收路径向驱动晶体管的栅极施加高放电电流。第二电流吸收路径也耦合到驱动晶体管的栅极。第二电流吸收路径被配置用于当感测电流感测到驱动晶体管的较高漏极-源极电压时向驱动晶体管的栅极施加低放电电流。

公开(公告)号：CN103138596B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210475309.7

申请日：2012-11-21

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 伊藤典和

IPC分类号： H02M5/458

CPC分类号： H02M5/297 ,  H02M1/088 ,  H02M2001/0048 ,  H03K17/127 ,  H03K17/163 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1491

摘要： 本发明提供一种逆变器装置以及具备逆变器装置的空气调节器。逆变器装置具备：多个开关电路（5），并联连接了由Si类半导体构成的第1开关元件（8）以及与第1开关元件（8）相比接通电阻小且开关速度快的由WGB半导体构成的第2开关元件（9）；变换电路（4），将直流电压变换为所期望的交流电压；驱动部（16），生成用于对各开关电路（5）分别进行通断驱动的多个驱动信号；以及栅极电路（17），针对各开关电路（5）的每个，根据各驱动信号，使第2开关元件（9）晚于第1开关元件（8）进行接通动作，使第1开关元件（8）晚于第2开关元件（9）进行断开动作。

公开(公告)号：CN105450212A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510083611.1

申请日：2015-02-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 常次幸男

IPC分类号： H03K19/14

CPC分类号： H03K17/162 ,  H03K3/012 ,  H03K17/163 ,  H03K17/6872 ,  H03K19/00361 ,  H03K19/018521 ,  H04B10/697 ,  H04B10/802

摘要： 本发明提供一种以低耗电驱动大范围的负荷电容的输出电路及光耦合装置。根据一实施方式，输出电路具备：输出部，包括设在电源电位与输出端子之间且在栅漏极间连接有第一电容元件的第一导电型的第一晶体管和设在上述输出端子与基准电位之间且在栅漏极间连接有第二电容元件的第二导电型的第二晶体管；第一驱动电路，根据上述第二晶体管的栅极电压检测上述第二晶体管截止的情况，并驱动上述第一晶体管；以及第二驱动电路，根据上述第一晶体管的栅极电压检测上述第一晶体管截止的情况，并驱动上述第二晶体管。

公开(公告)号：CN102835014B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080066009.2

申请日：2010-03-31

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中村和哉 ,  寺田启 ,  高桥和孝 ,  神保茂雄

IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M1/34

CPC分类号： H03K17/163 ,  H02M7/5387 ,  Y02B70/1483

摘要： 一种功率转换装置，其将由直流电源（2）供给的直流电力转换为交流电力，该功率转换装置具有：6个开关元件，其由使用宽带隙半导体的电压驱动型的晶体管（6-i）（i=1、2、…、6）和二极管（4-i）构成；以及驱动电路（5-i），其在开关元件断开时，将用于驱动晶体管（6-i）的电压，基于规定的电压轨迹进行控制，该规定的电压轨迹是以使晶体管（6-i）在非线性区域中动作的方式确定出的。