公开(公告)号：CN100529197C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510087833.7

申请日：2005-06-07

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： M·库尔卡尼 ,  V·尼蒂亚纳坦 ,  L·W·费里 ,  J·刘 ,  J·于 ,  S·L·金贝尔 ,  C·金 ,  J·C·霍尔泽 ,  R·G·施伦克 ,  K·李

IPC分类号： C30B15/22

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052

摘要： 本发明提供一种用于制造基本没有不希望的数量或尺寸的附聚缺陷的半导体级单晶的方法和系统。空位/间隙(V/I)边界模拟器分析各种熔-固界面形状以预测各种熔-固界面形状中的每一种所对应的V/I转换曲线。为沿晶体长度的多个轴向位置中的每一个识别对应于基本平直的V/I曲线的目标熔-固界面形状。将实现每种所识别的熔-固界面形状的目标操作参数存储在熔-固界面形状分布图中。控制系统响应所存储的分布图以产生一个或多个控制信号，从而控制一个或多个输出装置，以便在晶体生长期间熔-固界面形状基本符合由分布图所限定的目标形状。

公开(公告)号：CN1737216A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510087833.7

申请日：2005-06-07

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： M·库尔卡尼 ,  V·尼蒂亚纳坦 ,  L·W·费里 ,  J·刘 ,  J·于 ,  S·L·金贝尔 ,  C·金 ,  J·C·霍尔泽 ,  R·G·施伦克 ,  K·李

IPC分类号： C30B15/22

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/22 ,  C30B15/30 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052

摘要： 本发明提供一种用于制造基本没有不希望的数量或尺寸的附聚缺陷的半导体级单晶的方法和系统。空位/间隙(V/I)边界模拟器分析各种熔－固界面形状以预测各种熔－固界面形状中的每一种所对应的V/I转换曲线。为沿晶体长度的多个轴向位置中的每一个识别对应于基本平直的V/I曲线的目标熔－固界面形状。将实现每种所识别的熔－固界面形状的目标操作参数存储在熔－固界面形状分布图中。控制系统响应所存储的分布图以产生一个或多个控制信号，从而控制一个或多个输出装置，以便在晶体生长期间熔－固界面形状基本符合由分布图所限定的目标形状。