公开(公告)号：CN1461048A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03137819.6

申请日：2003-05-21

申请人： NEC液晶技术株式会社 ,  日本电气株式会社

发明人： 奥村展 ,  盐田国弘

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。在透明绝缘基片(1)上形成由多晶硅构成的半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)后，使半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)成为岛状图案，形成岛状部分，第1栅极氧化膜(6)和半导体膜(5)侧端面不齐，第1栅极氧化膜(6)的端部从半导体膜(5)的侧端面的位置稍微突出形成屋檐状的伸出部分(8)。一面从形成这个半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)的透明绝缘基片(1)上方例如在30[sec]的时间内滴下浓度为1[％]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转速数旋转透明绝缘基片(1)，进行旋转清洗。因此，能够在清洗同时除去伸出部分(8)。通过确实地除去伸出部分提高成品率。

公开(公告)号：CN101593758A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910202851.3

申请日：2009-05-26

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 是成贵弘 ,  盐田国弘 ,  斋藤总一

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648

摘要： 公开了一种驱动电路、有源矩阵基板和液晶显示装置，其中采用简单的制造步骤，实现由单一导电类型的TFT构成的驱动电路所要求的TFT的截止漏电流。TFT的源区和漏区的杂质浓度设置在2*1018cm－3至2*1019cm－3之间，因此，即使是在单一栅电极的结构中，TFT的截止漏电流也能充分地减小。

公开(公告)号：CN1909249A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610110138.2

申请日：2006-08-07

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 盐田国弘 ,  奥村展

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

摘要： 一种具有TFT的半导体器件，包括基板，在基板上或在基板上方用作TFT的有源层的岛状半导体薄膜，在半导体薄膜中形成的一对源/漏区，以及在半导体薄膜中的源/漏区对之间形成的沟道区。源/漏区对比除该源/漏区之外的半导体薄膜的剩余部分薄。源/漏区对和半导体薄膜的剩余部分之间的厚度差值处于10埃()至100埃的范围内。这减小了总的工序步骤并提高了器件的工作性能和可靠性。

公开(公告)号：CN102033434A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010298988.6

申请日：2010-09-29

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 盐田国弘 ,  三村广二

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B5/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13357

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G02B2207/123 ,  G02F1/133524 ,  G03F7/2053

摘要： 提供了一种光学元件制造方法，该方法能够形成多种形状且能够实现复杂功能、提高产率和降低成本。该方法包括：在上面设有遮光图案的透明基板上涂覆透明光敏树脂的步骤；经由上面设有遮光图案的透明基板，在透明光敏树脂上照射任意量的曝光光，来执行图案化，从而形成透明层的步骤；通过在透明层之间填充黑色可固化树脂来形成光吸收层的步骤；以及在透明基板弯曲的状态下，沿倾斜方向，向形成有遮光图案的透明基板的表面照射曝光光的照射步骤。

公开(公告)号：CN101853883A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010149400.0

申请日：2010-03-25

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 盐田国弘

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L29/78618 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管能够减少多晶硅TFT中的泄漏电流，而不会增加制造过程。形成将形成在用于移动电话的液晶显示面板的玻璃基板上形成的电路区和像素区中的TFT的活性层的源极/漏极区，使得其硼杂质在2.5×1018/cm3到5.5×1018/cm3的范围内，且其杂质活性在1％到7％的范围内。

公开(公告)号：CN102043281A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010510294.4

申请日：2010-10-13

申请人： NEC液晶技术株式会社

发明人： 盐田国弘 ,  三村广二 ,  田边浩 ,  重村幸治

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1333

CPC分类号： G02F1/133524 ,  G02F1/13476 ,  G02F1/135

摘要： 本发明的图像形成设备包括：功能元件基板，在所述功能元件基板中以预定周期布置像素；形成在所述功能元件基板上的相对基板；和光学装置，所述光学装置布置在所述相对基板上，所述光学装置包括以布置所述像素的所述周期的1/n(n为整数)的周期布置的透明层和光学吸收层，并且所述光学装置限制透射光的扩散。

公开(公告)号：CN1212654C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03137819.6

申请日：2003-05-21

申请人： NEC液晶技术株式会社 ,  日本电气株式会社

发明人： 奥村展 ,  盐田国弘

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。在透明绝缘基片(1)上形成由多晶硅构成的半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)后，使半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)成为岛状图案，形成岛状部分，第1栅极氧化膜(6)和半导体膜(5)侧端面不齐，第1栅极氧化膜(6)的端部从半导体膜(5)的侧端面的位置稍微突出形成屋檐状的伸出部分(8)。一面从形成这个半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)的透明绝缘基片(1)上方例如在30[sec]的时间内滴下浓度为1[%]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转速数旋转透明绝缘基片(1)，进行旋转清洗。因此，能够在清洗同时除去伸出部分(8)。通过确实地除去伸出部分提高成品率。