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公开(公告)号：CN101593758B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200910202851.3
申请日：2009-05-26
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/36 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78648
Abstract: 公开了一种驱动电路、有源矩阵基板和液晶显示装置，其中采用简单的制造步骤，实现由单一导电类型的TFT构成的驱动电路所要求的TFT的截止漏电流。TFT的源区和漏区的杂质浓度设置在2*1018cm-3至2*1019cm-3之间，因此，即使是在单一栅电极的结构中，TFT的截止漏电流也能充分地减小。
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公开(公告)号：CN104409517B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410720654.1
申请日：2010-07-29
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
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公开(公告)号：CN104409517A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410720654.1
申请日：2010-07-29
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
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公开(公告)号：CN101989619B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010241990.X
申请日：2010-07-29
Applicant: NLT科技股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
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