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公开(公告)号:CN115039004A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202180012229.5
申请日:2021-02-02
申请人: NTT 电子股份有限公司
IPC分类号: G02B6/136 , H01L21/3065
摘要: 基于局部刻蚀的光器件制造方法和光器件制造装置,其特征在于,在制造由传输光的芯和包层构成的波导型光器件的晶圆工艺中,使用局部地进行刻蚀加工的喷嘴并使其移动,在该晶圆的任意位置形成任意角度的斜端面、曲面形状的端面、膜厚发生变化的芯。使用局部刻蚀在光波导端部形成斜端面实现例如45度的反射镜或者具有聚光性的非平面反射镜、膜厚控制芯,来实现高效的光连接。