公开(公告)号：CN107154361A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710102451.X

申请日：2017-02-24

Applicant: NXP 股份有限公司

Inventor： 弗兰克·布尔迈斯特 ,  梁志豪 ,  李志刚 ,  赵玉君 ,  卡伦·基希海默尔 ,  汉斯-马丁·瑞特

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/82 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563

Abstract: 本发明公开一种封装半导体装置的方法。所述方法包括：将晶片放置在载体上，使得所述晶片的背面朝上且正面朝下，且所述晶片非永久性地附着于所述载体的表面；执行光刻以标记所述晶片的所述背面上的待蚀刻的区域；从所述晶片的所述背面蚀刻所述经标记的区域，由此形成沟槽，所述沟槽标记所述晶片上的单独装置的边界；在所述晶片的所述背面上涂覆保护性涂层，由此用保护性化合物填充所述晶片的所述沟槽和整个背面；以及从所述晶片上剪切所述单独装置。