公开(公告)号：CN106972762B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201610892448.8

申请日：2016-10-12

申请人： 台达电子国际(新加坡)私人有限公司

发明人： 黎耀威 ,  陈大容

IPC分类号： H02M7/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/367

CPC分类号： H02M7/003 ,  H01L23/051 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24175 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055

摘要： 本发明提供一种电源模块，包含基板、第一次模块、第二次模块及电路板。第一次模块及第二次模块的半导体开关及二极管内埋于绝缘层，借此第一次模块及第二次模块形成桥式电路的高压侧开关组件及低压侧开关组件。第一次模块与第二次模块设置于基板的第一表面上。第一次模块的电极与第二次模块的一些电极与电路板的对应导接部电连接。散热器设置于电路板的第二表面。本发明电源模块封装过程较为简单；同时电源模块的热能可通过电路板及散热器进行散热，因此达到双面散热的效果而提升散热效率；此外电源模块还可减少寄生电感，提升切换效率，减少线路阻抗，且提升电能转换效率。

公开(公告)号：CN106531711B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201611117441.5

申请日：2016-12-07

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 郭学平 ,  于中尧 ,  曹立强 ,  林挺宇 ,  郝虎

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267

摘要： 本发明提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，其中封装结构包括：基板，基板上形成有至少两个容纳空间；IGBT芯片和驱动芯片分别嵌入到对应的容纳空间内；形成在基板、IGBT芯片和驱动芯片表面上的第一介质层，IGBT芯片和驱动芯片的至少部分电极露出并覆盖有第一金属镀层，且至少一个IGBT芯片的栅极通过由第一金属镀层形成的第一线路层与驱动芯片的控制电极电连接；在第一介质层以及第一线路层上覆盖第二介质层，且IGBT芯片的源极和漏极上方的第一金属镀层露出；形成第一金属镀层上的金属种子层；形成在第二介质层和金属种子层上的第二金属镀层。本发明实施例提供了一种芯片的板级封装结构及制作方法，有效改善了芯片封装结构的电学性能。

公开(公告)号：CN108807307A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810730421.8

申请日：2017-02-15

申请人： 美光科技公司

发明人： 施信益

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81

摘要： 本发明公开了一种半导体封装，包含第一、一第二中介元件，及一细缝，位于所述第一、第二中介元件间。第一、第二中介元件是共平面的。第一晶粒，设于第一、第二中介元件上。第一晶粒包含第一连接件，连接第一晶粒至第一或第二中介元件。重分布层结构，设于第一、第二中介元件下表面，电连接第一、第二中介元件。RDL结构包含至少一架桥绕线，跨越所述细缝，用以电连接第一、第二中介元件。

公开(公告)号：CN108292627A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680059697.7

申请日：2016-10-12

申请人： 德卡技术股份有限公司

发明人： C.毕晓普

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/568 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/214

摘要： 一种制作半导体装置的方法，可包括通过在单一步骤中封装第一半导体裸芯和第二半导体裸芯连同导电互连件而形成嵌入式裸芯面板。可测量在该嵌入式裸芯面板内的该第一半导体裸芯和该第二半导体裸芯的实际位置。可通过堆积互连结构互连该第一半导体裸芯和该第二半导体裸芯，该堆积互连结构互连包含与该第一半导体裸芯对齐的第一单元特定对齐部分、与该第二半导体裸芯对齐的第二单元特定对齐部分、连接该第一单元特定对齐部分和该第二单元特定对齐部分的单元特定布线、及与嵌入式裸芯面板的轮廓对齐并耦接至该单元特定布线的固定部分。

公开(公告)号：CN105144369B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480013809.6

申请日：2014-03-13

申请人： 尼斯迪格瑞科技环球公司

发明人： 威廉·约翰斯通·雷 ,  理查德·奥斯汀·布兰查德 ,  马克·戴维·洛温塔尔 ,  布拉德利·史蒂文·奥拉韦

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L24/95 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/072 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L33/20 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/25105 ,  H01L2224/25174 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82143 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95101 ,  H01L2224/95102 ,  H01L2224/95115 ,  H01L2224/95143 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/029 ,  H05K1/0296 ,  H05K3/12

摘要： 本发明涉及一种可编程电路，其包含微观晶体管或二极管(40)的经印刷群组(72、74)的阵列。装置经预成形且作为墨水印刷且经固化。每一群组中的所述装置经并联连接，使得每一群组充当单个装置。在一个实施例中，每一群组中含有大约10个装置，因此冗余使得每一群组非常可靠。每一群组具有至少一个电引线(85)，其终接在衬底(50)上的贴片区域(86)中。一互连导体图案使所述贴片区域中的所述群组的至少一些所述引线互连，以针对通用电路的自定义应用形成逻辑电路。所述群组还可被互连为逻辑门，且门引线终接在所述贴片区域中。所述互连导体图案随后使所述门互连以形成复杂逻辑电路。

公开(公告)号：CN107919330A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710859996.5

申请日：2017-09-21

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  彭逸轩 ,  刘乃玮 ,  黄伟哲

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/214 ,  H01L25/18 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3185

摘要： 本发明实施例公开了一种具有高带宽的半导体芯片封装。其包括：第一半导体晶粒与第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒共平面并且并排设置；非直线形界面间隙，位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间；模塑料，围绕该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒；以及重分布层结构，位于该第一半导体晶粒、该第二半导体晶粒以及该模塑料上，其中该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒通过该重分布层结构电性连接。

公开(公告)号：CN103367384B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201210090921.2

申请日：2012-03-30

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 叶慧君

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开一种发光二极管元件，其包含一基板，该基板具有一第一表面；多个发光二极管单元，形成在第一表面上，每一个发光二极管单元包含一第一半导体层、一第二半导体层，形成在第一半导体层上、以及一活性层，形成在第一半导体层与第二半导体层之间；以及多个导电配线结构，彼此完全分离，一端具有一第一延伸部分别形成在第二半导体层上，直接接触第二半导体层，并通过第二半导体层彼此电性连结；其中，上述多个导电配线结构另一端具有一第二延伸部分别形成在另一发光二极管单元上，直接接触另一发光二极管单元所包含的上述多个半导体层其中之一。

公开(公告)号：CN104459273B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410469937.3

申请日：2014-09-15

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·贝尔 ,  V·施特鲁茨 ,  H·托伊斯

IPC分类号： G01R19/00

CPC分类号： H01L29/82 ,  G01R15/207 ,  G01R19/0092 ,  G01R33/0047 ,  G01R33/0052 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/19105

摘要： 一种用于感测测量电流的电流传感器设备，包括具有磁场敏感元件的半导体芯片。电流传感器设备还包括在其中嵌入所述半导体芯片的包封物。被配置用于承载所述测量电流的导体与所述磁场敏感元件电绝缘。重分布结构包括第一金属层，所述第一金属层具有形成所述导体的一部分的第一构造部分。

公开(公告)号：CN107564891A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710511397.4

申请日：2017-06-28

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 迈克尔·B·文森特 ,  格列高利·J·杜尔南

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025

摘要： 一种半导体结构包括具有至少一个装置、导电柱、在该至少一个装置上面并围绕该导电柱的包封物的封装半导体装置，其中，该导电柱从该包封物的第一主表面向第二主表面延伸并暴露在该第二主表面，并且该至少一个装置暴露在该第一主表面。封装装置还包括在包封物的第二主表面和该包封物的微表面上的导电屏蔽层，以及在包封物和导电柱之间的该包封物的第二主表面处的隔离区，使得该导电屏蔽层与该导电柱电隔离。半导体结构还包括在包封物的第二主表面处的导电柱上面并与其电接触的射频连接结构。

公开(公告)号：CN107527890A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710452209.5

申请日：2017-06-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  邱俊豪 ,  谢慧英 ,  陈国华 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L23/49541 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586

摘要： 一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。