公开(公告)号：CN109309020A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710628535.7

申请日：2017-07-28

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 张峰溢 ,  李甫哲 ,  詹益旺 ,  廖家樑 ,  童宇诚 ,  陈建豪 ,  王嘉鸿

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L22/20 ,  H01L27/1085

摘要： 本发明公开一种半导体结构，包含一材料层，具有一切割道区，一矩形区域位于切割道区中，该矩形区域具有一对第一边缘与该切割道区的宽度方向平行，一对第二边缘与该切割道区的长度方向平行，一对第一图案沿着该对第一边缘埋设在该材料层中，一对第二图案沿着该对第二边缘埋设在该材料层中，其中该对第一图案的间距大于该对第二图案的间距。

公开(公告)号：CN108356412A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810048475.6

申请日：2018-01-18

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 伴祐人 ,  吉田侑太 ,  小田中健太郎

IPC分类号： B23K26/20 ,  B23K26/362 ,  B23K26/53

CPC分类号： H01L21/67092 ,  B23K26/032 ,  B23K26/364 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5446 ,  B23K26/206 ,  B23K26/361 ,  B23K26/53

摘要： 提供激光加工装置，能够对被加工物的所有的分割预定线适当地形成贯通槽。该激光加工装置具有：卡盘工作台(10)，其对封装晶片(201)进行保持；激光光线照射单元(20)，其对封装晶片(201)照射脉冲激光光线；X轴移动构件(30)，其使卡盘工作台(10)在X轴方向上移动；拍摄单元(50)，其对封装晶片(201)进行拍摄；以及控制单元(60)。卡盘工作台(10)包含透明或半透明的保持部件(11)和发光体。控制单元(60)具有：拍摄指示部(61)，其在封装晶片(201)被照射脉冲激光光线而形成贯通槽的同时使拍摄单元(50)对封装晶片(201)进行拍摄；以及判定部(62)，其根据由拍摄指示部(61)的指示而得到的拍摄图像对贯通槽的加工状态进行判定。

公开(公告)号：CN104658969B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201410120711.2

申请日：2014-03-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨固峰 ,  钟明慈 ,  施泓业 ,  吴钧 ,  蔡承祐 ,  陈新瑜 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03

摘要： 一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层（RDL）使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值，而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。

公开(公告)号：CN105044956B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510566255.9

申请日：2015-09-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 何全华 ,  张浩 ,  时凌云

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： H01L23/544 ,  G02F1/133351 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/681 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/54486 ,  H05K1/189 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/0097 ,  H05K3/361 ,  H05K2201/10128 ,  H05K2203/0228 ,  H05K2203/163 ,  H05K2203/166

摘要： 本发明提供一种显示面板的制备方法、绑定切割装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示面板的制备效率低的问题。本发明的显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和绑定区，所述制备方法包括：沿显示母板切割线进行切割的步骤，以及同时将各个柔性线路板绑定至与其对应的显示面板的绑定区的步骤。本发明显示面板的制备方法适用于量产显示面板。

公开(公告)号：CN107507804A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710450895.2

申请日：2017-06-14

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 劳伦斯·斯科特·克林拜尔 ,  科利·格雷格·兰普莱

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4827 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5446

摘要： 提供了用于背面金属化的晶片切片的方法实施例。一种方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，所述半导体晶片的所述正面包括有源电路；切割所述半导体晶片的背面，所述背面与所述正面相对，其中，所述切割在所述半导体晶片的划道中形成逆行空腔，所述逆行空腔具有在所述半导体晶片的所述背面的间隙宽度，以及所述逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在所述半导体晶片的所述背面上沉积金属层，其中，所述间隙宽度大到足以防止在所述逆行空腔上形成所述金属层；以及在所述沉积所述金属层之后，穿过所述半导体晶片的所述划道进行切割。

公开(公告)号：CN107464779A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710411207.1

申请日：2017-06-02

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： G·M·格利瓦纳

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68309 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/5446

摘要： 本发明涉及分离具有背层的电子设备的方法和装置。一种分割晶片的方法，包括提供具有被形成为晶片的一部分并且通过间隙彼此分离的多个管芯的晶片。其中该晶片具有第一和第二相对的主表面并且材料层沿着第二主表面部署。该方法包括将晶片放置在载体衬底上并且通过间隙蚀刻以形成分割线，其中蚀刻包括在材料层的顶上停止。该方法包括提供包含加压结构、支撑结构和被配置为向材料层施加高频机械振动的换能器系统的装置。该方法包括将晶片和载体衬底放置在支撑结构上，并且，在一个实施例中，向晶片施加压力和机械振动以分离分割线中的材料层。

公开(公告)号：CN107180789A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710088441.5

申请日：2017-02-17

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 水野文二 ,  广岛满 ,  置田尚吾 ,  松原功幸 ,  针贝笃史

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/428 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/3083

摘要： 一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆会成为解理起点的半导体层来提高元件芯片的抗弯强度。该制造方法包括：激光划片工序，对基板的分割区域照射激光，在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口；保护膜沉积工序，使保护膜沉积在元件区域及分割区域。还包括保护膜蚀刻工序，使基板暴露于第1等离子体来各向异性地蚀刻保护膜，除去沉积在分割区域的保护膜的一部分及沉积在元件区域的保护膜，并使覆盖元件区域的端面的保护膜残留。还包括：各向同性蚀刻工序，使基板暴露于第2等离子体来各向同性地蚀刻分割区域；等离子体切割工序，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第3等离子体来将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。

公开(公告)号：CN107123595A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710095216.4

申请日：2017-02-22

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 芳野知辉

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/6836 ,  B23K26/364 ,  B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/3043

摘要： 本发明提供晶片的加工方法，即使在晶片的正面侧存在遮挡激光光线的遮蔽物，也不会牺牲后面工序中的加工效率，高效且可靠地形成盾构隧道。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：框架支承工序，将该晶片定位在具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部，利用粘合带将该晶片的背面和该框架粘贴为一体，利用该框架对该晶片进行支承；以及盾构隧道形成工序，利用卡盘工作台对该晶片的正面侧进行保持，并穿过该粘合带对与分割预定线对应的晶片的背面照射对于该晶片和该粘合带具有透过性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的非晶质构成的盾构隧道。

公开(公告)号：CN107039341A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611079386.5

申请日：2016-11-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 森数洋司

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446

摘要： 本发明的课题在于提供晶片的加工方法，其用于使器件更薄且小型化。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：一体化工序，使支承基板与晶片的正面相对并借助结合材料而粘贴成一体；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄；切断工序，从晶片的背面沿着分割预定线将晶片按照每个器件进行切断；保护部件配设工序，在晶片的背面上配设保护部件；结合材料破坏工序，将对于支承基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于结合材料而进行照射从而将结合材料破坏；以及支承基板剥离工序，将支承基板从器件剥离而分离成每个器件。

公开(公告)号：CN106972004A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611052848.4

申请日：2016-11-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金明寿

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/544 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/08 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L22/30 ,  H01L22/34 ,  H01L24/16 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/16157

摘要： 描述了一种半导体芯片，该半导体芯片具有改善的结构，不需在光刻设备上投资，并描述了一种制造半导体芯片的方法以及包括该半导体芯片的半导体封装和显示设备。半导体芯片包括设置在沿着第一方向伸长的矩形的中心部分中的电路区域。该电路区域包括沿第一方向以预定间隔设置的多个驱动电路单元。多个电极焊盘围绕所述电路区域设置，且工艺图案设置在所述矩形的四条边的至少一条处。