公开(公告)号：CN118715621A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022161.8

申请日：2023-02-16

申请人： OTI公司

发明人： Z·王 ,  Y-L·常 ,  王琦

IPC分类号： H01L33/08 ,  H10K50/10

摘要： 一种具有多个层的光电子器件，该光电子器件包括均在侧向朝向上延伸的第一电极、分层堆叠，以及沉积材料。第一电极具有相关联的发射区域。每个堆叠包括位于半导电层与图案化涂层之间的第二电极；位于第一电极表面上的第一个第一电极；以及位于与该第一电极表面相邻、通过第一间隙隔开的结构表面上的第二个第一电极，该第一间隙具有平行于该侧向朝向的侧向分量和/或横向于该侧向朝向的纵向分量。该材料设置在每个堆叠上，用于电耦接包括第二电极的第一堆叠和第二堆叠的对应层。

公开(公告)号：CN118632906A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280090720.4

申请日：2022-12-14

申请人： OTI公司

发明人： M·海兰德 ,  Z·王 ,  Y-L·常 ,  王琦

IPC分类号： C09D5/00 ,  B05B12/20 ,  H01L21/00 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04

摘要： 一种制剂和包括图案化涂层和沉积层的分层半导体器件。该制剂和该图案化涂层可包含多种材料。在该制剂中，每种材料可为图案化材料。该图案化涂层可设置在该器件的侧向朝向的第一部分中，并且该沉积层可设置在该器件的该侧向朝向的第二部分中。该图案化涂层可适于影响沉积材料的蒸汽通量在其上冷凝的倾向。该沉积层可包含该沉积材料。

公开(公告)号：CN117223108A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280026651.0

申请日：2022-02-08

申请人： OTI公司

发明人： M·海兰德 ,  Z·王 ,  Y-L·常 ,  王琦 ,  S·N·格宁

IPC分类号： H01L29/12

摘要： 本发明公开了，一种分层半导体器件包括在侧向朝向的第一部分中沉积在下面层的暴露层表面上的图案化涂层，该图案化涂层适于影响沉积材料的蒸气通量在其上冷凝的倾向，该图案化涂层包括表现出相应的至少一种第一材料性质和至少一种第二材料性质的第一材料和第二材料。该图案化涂层表现出至少一种第三材料性质，该至少一种第三材料性质在其组合和其值中的至少一者方面不同于该至少一种第一和第二材料性质中的至少一者。该至少一种第三材料性质将该下面层的该暴露层表面与该图案化涂层的该暴露层表面区分开。