公开(公告)号：CN101495680A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780023521.7

申请日：2007-06-20

申请人： REC斯坎沃佛股份有限公司

发明人： 鲁内·罗利吉特恩 ,  耶尔特鲁德·里安 ,  施泰因·朱尔斯鲁德

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B35/002 ,  C04B35/591 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/368 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及用于制造半导体级硅锭料的可重复使用的坩埚，该坩埚由氮化物结合氮化硅(NBSN)制成。该坩埚可通过如下制得：混合氮化硅粉末与硅粉末，形成坩埚生坯，然后在含氮气氛中加热生坯，使得硅粉末氮化而形成NBSN坩埚。该坩埚可通过组装待成为方形截面坩埚的底部(1)和壁部(3，5)的NBSN材料板状元件而得到，任选地通过施用含有硅粉末和任选的氮化硅粒子的糊料来密封结合处，随后在氮气气氛中进行第二次热处理。