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公开(公告)号：CN103361713B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310248053.0
申请日：2008-06-04
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
摘要： 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。
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公开(公告)号：CN103154332B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280003251.4
申请日：2012-01-26
申请人： 国立大学法人山口大学 , 株式会社德山
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。
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公开(公告)号：CN103917699A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054252.1
申请日：2012-09-03
申请人： 原子能和代替能源委员会
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/06 , Y10T117/1092
摘要： 坩埚形成装置(10)，用于通过定向固化制造晶体材料，包括底部(2)和至少一个侧壁(4)。底部(2)包括具有第一热阻的第一部分(2a)和具有第二热阻的第二部分(2b)，第二热阻低于第一热阻。第二部分(2b)设计为容放籽晶(3)以制造晶体材料。底部(2)和侧壁(4)至少部分地由紧密密封件(1)形成，紧密密封件(1)包括至少一个参与限定所述第一和第二部分(2a、2b)的缺口。第一部分(2a)由具有附加第一热阻的第一抗粘合层覆盖。第二部分(2b)可由具有附加第二热阻的第二抗粘合层(9b)覆盖，附加第二热阻低于第一热阻。
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公开(公告)号：CN101772596B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200880025102.1
申请日：2008-06-04
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
摘要： 一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们并立设置在定向的温度场中；以及均化装置，用于在所述多个坩埚中在垂直于第一方向的平面内均化温度场。该均化装置可以涉及多个填料(24)，它们装入各坩埚之间的中间空间中并且配备各向异性的导热性，以便优选引起径向定向的热传输。对此附加或按选择也可以涉及用于产生磁场的装置(21a、21b)，它们与各填料(24)相互作用。
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公开(公告)号：CN103154332A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201280003251.4
申请日：2012-01-26
申请人： 国立大学法人山口大学 , 株式会社德山
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。
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公开(公告)号：CN102187474B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980141470.7
申请日：2009-10-20
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/20
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/403 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S588/90 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 冷却一材料的熔化物且在此熔化物中形成此材料的板材。输送此板材，将此板材切割成至少一片段，再于冷却腔室中冷却此片段。此材料可为硅、硅及锗、镓、或氮化镓。冷却是为了避免对此片段造成应力或应变。在一实例中，此冷却腔室具有气体冷却。
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公开(公告)号：CN102965729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210448547.9
申请日：2007-09-21
申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
IPC分类号： C30B29/20
CPC分类号： C30B15/206 , C30B15/14 , C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1092 , Y10T428/23986
摘要： 本发明揭示了一种C-平面单晶蓝宝石及其板材和由其形成的蓝宝石晶片。该蓝宝石板的宽度大于或等于5厘米，用基于布拉格衍射的透射X射线衍射形貌法测定，位错密度小于1000个位错/厘米2。所述C-平面单晶蓝宝石、及其板材和由其形成的蓝宝石晶片具有低多晶性和/或低位错密度。
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公开(公告)号：CN101074488B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710079489.6
申请日：2007-04-11
申请人： 史考特公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B35/002 , H01L31/04 , H01L31/1804 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/108 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 本发明涉及一种使用垂直梯度凝固法制造单晶或多晶材料、尤其是用于光伏应用的硅的装置和方法。根据本发明实现少量的损耗，这是因为坩埚的横截面为多边形、尤其是长方形或正方形。在坩埚圆周四周安置扁平或平面的加热元件、尤其是夹套加热器，其产生不均匀的温度分布。这与坩埚中心所形成的温度梯度相对应。所述扁平加热元件的热输出从坩埚顶端到底端降低。所述扁平加热元件包含多个平行的加热辐板，所述辐板在垂直或水平蜿蜒路径上延伸。通过改变导体横截面来设定来自所述辐板的热输出。为避免坩埚角落区域中的局部过热，在所述辐板的蜿蜒路径的倒转区处设置横截面的收缩。所述扁平加热元件可由多个互连的个别区段形成。
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公开(公告)号：CN101755077A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025474.4
申请日：2008-07-16
申请人： BP北美公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/02 , C30B19/067 , C30B29/06 , F27B14/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , Y10T428/12528
摘要： 提供了可用于光伏电池和其它应用的硅的浇铸方法和装置。使用这些方法，可以生长出低碳含量的锭料，其晶体生长受到控制，从而增加了浇铸过程中作为籽晶的材料的横截面积。
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公开(公告)号：CN101755075A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025411.9
申请日：2008-07-16
申请人： BP北美公司
发明人： 内森·G·斯托达德 , 吴蓓 , 罗杰·F·克拉克 , 詹姆斯·A·克利伯尔
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/02 , C30B19/067 , C30B29/06 , F27B14/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , Y10T428/12528
摘要： 本发明提供了用于浇铸硅的方法和装置，所述浇铸硅用于光伏电池和其它应用。在这些方法中，锭料可以低碳方式生长并且其结晶生长受到控制以增加在浇铸期间的用籽晶进行生长的材料的横截面。
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