公开(公告)号：CN116169227A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211479986.6

申请日：2022-11-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 关映子 ,  渡边贵志 ,  和田由香里 ,  谷口晋 ,  上松博幸

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/62

摘要： 本发明提供一种电路基板，其是具有至少一对端子的电路基板，其中，在端子的上侧配置有含有金属元素的接合材料，一对端子及接合材料配置于由绝缘体形成的壁内，壁在内侧面具有凹凸部。

公开(公告)号：CN111655891A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010647.3

申请日：2019-01-29

申请人： TDK株式会社

发明人： 富田将来 ,  桥本龙司 ,  渡边贵志

IPC分类号： C22C38/00 ,  B22F3/00 ,  H01F1/055

摘要： 本发明提供一种具有高矫顽力和高剩余磁通密度的永久磁铁。是包含R和T的永久磁铁。R是稀土元素。以Sm为必须。以选自Y和Gd中的一种以上为必须。T是单独的Fe，或者是Fe和Co。T的一部分也可以被M置换，M是选自Ti、V、Cr、Mo、W、Zr、Hf、Nb、Ta、Al、Si、Cu、Zn、Ga和Ge中的一种以上。R整体中Sm的含量为60at％以上且95at％以下。Y和Gd的合计含量为5at％以上且35at％以下。包含具有ThMn12型晶体结构的主相结晶颗粒。

公开(公告)号：CN111655891B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201980010647.3

申请日：2019-01-29

申请人： TDK株式会社

发明人： 富田将来 ,  桥本龙司 ,  渡边贵志

IPC分类号： H01F1/055 ,  C22C38/00 ,  B22F3/00

摘要： 本发明提供一种具有高矫顽力和高剩余磁通密度的永久磁铁。是包含R和T的永久磁铁。R是稀土元素。以Sm为必须。以选自Y和Gd中的一种以上为必须。T是单独的Fe，或者是Fe和Co。T的一部分也可以被M置换，M是选自Ti、V、Cr、Mo、W、Zr、Hf、Nb、Ta、Al、Si、Cu、Zn、Ga和Ge中的一种以上。R整体中Sm的含量为60at％以上且95at％以下。Y和Gd的合计含量为5at％以上且35at％以下。包含具有ThMn12型晶体结构的主相结晶颗粒。

公开(公告)号：CN118891964A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027650.2

申请日：2023-03-14

申请人： TDK株式会社

发明人： 水户瀬智久 ,  池部桐生 ,  渡边贵志 ,  堀田裕平

IPC分类号： H05K3/32 ,  H05K3/34

摘要： 本发明的接合构造将电子部件与配线基板接合而成，且自电子部件侧依序具备：包含与Sn形成金属间化合物的金属的第1金属层、由包含Sn的金属间化合物构成的金属间化合物层、及包含Sn的第2金属层，第2金属层的厚度为第1金属层、金属间化合物层及第2金属层的厚度的合计的50％以下。

公开(公告)号：CN117321745A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280034429.5

申请日：2022-03-25

申请人： TDK株式会社

发明人： 田中浩介 ,  佐藤真人 ,  小野研太 ,  渡边贵志

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 在本发明的电子部件(1)中，防扩散层(35)的第二部分(37)与基材(5)的主面(5a)平行地延伸。在将电子部件(1)表面安装于安装基板时，在电子部件(1)的电极(30A、30B)和安装基板的接地电极之间介设有焊料等导电性的接合材料。当防扩散层(35)和基板(10)之间的接合面较宽时，接合材料的金属成分难以通过接合面(S)到达电极(30A、30B)的主体部(31)。因此，抑制了接合材料的金属成分扩散到主体部(31)的情况，并抑制了扩散所引起的电极(30A、30B)的强度降低。

公开(公告)号：CN107134336A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710104730.X

申请日：2017-02-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 石山保 ,  三轮将史 ,  渡边贵志

IPC分类号： H01F1/057

CPC分类号： H01F1/053 ,  B22F1/0014 ,  B22F3/16 ,  B22F5/00 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/042 ,  B22F2009/044 ,  B22F2201/11 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/355 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C21D3/06 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/058 ,  B22F3/02 ,  B22F2202/05 ,  B22F2009/049 ,  B22F3/10 ,  B22F2009/048 ,  B22F9/023 ,  B22F2003/248 ,  B22F3/12 ,  H01F1/0571

摘要： 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其特征在于：具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒，其中，R为稀土元素，T为以Fe或者Fe和Co作为必需元素的铁族元素，B为硼，上述主相颗粒的平均粒径为2.8μm以下，除R、T、B以外，至少含有C和Ga，B的含量为0.71质量％以上且0.86质量％以下，C的含量为0.13质量％以上且0.34质量％以下，Ga的含量为0.40质量％以上且1.80质量％以下，并且满足下述式(1)。0.14≤[C]/([B]+[C])≤0.30 (1)其中，[B]是以原子％表示的B含量，[C]是以原子％表示的C含量。

公开(公告)号：CN116546724A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310048239.5

申请日：2023-01-31

申请人： TDK株式会社

发明人： 葛西谅平 ,  渡边贵志 ,  谷口晋 ,  水户瀬智久 ,  堀田裕平

IPC分类号： H05K1/11 ,  H05K1/18

摘要： 本发明提供一种接合结构，将电子部件和配线基板接合，其中，具备：第一层，其设置于电子部件及配线基板的一侧，由含有Sn的第一金属构成；第二层，其设置于电子部件及配线基板的另一侧，由与Sn形成金属间化合物的第二金属构成；以及第三层，其设置于第一层和第二层之间的接合界面，由第一金属和第二金属的金属间化合物构成，第三层的平均厚度为0.1μm以上且0.5μm以下。

公开(公告)号：CN114746962A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080081135.9

申请日：2020-11-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 藤川佳则 ,  古田敦 ,  神宫美香 ,  渡边贵志

IPC分类号： H01F1/057 ,  H01F41/02

摘要： 本发明提供一种提高了磁特性、特别是残留磁通密度Br和矫顽力Hcj的R－T－B系永磁体。该R－T－B系永磁体为包含R2T14B主相结晶颗粒和晶界的R－T－B系永磁体。R为一种以上的稀土元素，T为以Fe或者Fe和Co为必要元素的一种以上的铁族元素，B为硼。在R－T－B系永磁体的与取向方向平行的截面上，R2T14B主相结晶颗粒的包覆率为50.0％以上，且R2T14B主相结晶颗粒的面积比例为92.0％以上。

公开(公告)号：CN107134336B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201710104730.X

申请日：2017-02-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 石山保 ,  三轮将史 ,  渡边贵志

IPC分类号： H01F1/057

摘要： 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其特征在于：具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒，其中，R为稀土元素，T为以Fe或者Fe和Co作为必需元素的铁族元素，B为硼，上述主相颗粒的平均粒径为2.8μm以下，除R、T、B以外，至少含有C和Ga，B的含量为0.71质量％以上且0.86质量％以下，C的含量为0.13质量％以上且0.34质量％以下，Ga的含量为0.40质量％以上且1.80质量％以下，并且满足下述式(1)。0.14≤[C]/([B]+[C])≤0.30(1)其中，[B]是以原子％表示的B含量，[C]是以原子％表示的C含量。