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公开(公告)号:CN107130183B
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201710104702.8
申请日:2017-02-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其中,所述R‑T‑B系永久磁铁具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒,R为稀土元素,T为必须有Fe或必须有Fe和Co的铁族元素,B为硼,除R、T、B以外,至少含有C、Ga及M,M为选自Zr、Ti、Nb中的至少一种,B的含量为0.71质量%以上0.88质量%以下,C的含量为0.15质量%以上0.34质量%以下,Ga的含量为0.40质量%以上1.40质量%以下,M的含量为0.25质量%以上2.50质量%以下,并且满足下述(1)式及(2)式:0.14≦[C]/([B]+[C])≦0.30(1),5.0≦[B]+[C]‑[M]≦5.6(2),在此,[B]是以原子%表示的B含量,[C]是以原子%表示的C含量,[M]是以原子%表示的M含量。
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公开(公告)号:CN103858185A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201280050562.6
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种R-T-B系烧结磁体,是一种具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的R-T-B系烧结磁体10,并且该R-T-B系烧结磁体10中,作为稀土元素实质上不包含镝;具备:具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的晶粒12、形成于晶粒12之间的晶界区域;三相点区域14是被3个以上的晶粒12所包围的晶界区域,该三相点区域包含稀土元素、过渡元素和硼,并且具有稀土元素的质量比率比晶粒12高的组成;截面上的三相点区域14的面积的平均值为2μm2以下,该面积的分布的标准偏差为3以下。
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公开(公告)号:CN1812024A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510113295.4
申请日:2005-08-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/63424 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/96 , H01G4/308 , H05K1/0306 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2203/0156
Abstract: 制造剥离层用糊剂的方法,该剥离层用糊剂用于制造层压型电子部件,包括:准备一次浆液的工序,该一次浆液含有平均粒径为0.1μm以下的陶瓷粉末、粘合剂和分散剂,且不挥发成分的浓度为30重量%以上;在上述一次浆液中添加粘合剂漆溶液,稀释上述一次浆液,准备上述不挥发成分的浓度为15重量%以下、且相对于上述陶瓷粉末100重量份上述粘合剂的含有量为12重量份以上的二次浆液的工序;以及利用湿式喷磨机对上述二次浆液施加1.5×106~1.3×107(1/s)的剪切速度的高压分散处理上述二次浆液的工序。
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公开(公告)号:CN1741212A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510091161.7
申请日:2005-08-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/63424 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6264 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/96 , H01G4/308 , H05K1/0306 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2203/0156 , Y10T428/252
Abstract: 本发明涉及一种剥离层用糊料,是用于制造层压型电子部件的剥离层用糊料,其特征在于,将该糊料与含有萜品醇、二氢萜品醇、乙酸萜品酯或乙酸二氢萜品酯的电极层用糊料组合使用,该糊料含有陶瓷粉末、有机载体、增塑剂、分散剂,上述有机载体中的粘合剂以丙烯酸树脂为主成分,上述丙烯酸树脂以丙烯酸酯单体单元和甲基丙烯酸酯单体单元为主成分,由酸值为1~10mg KOH/g的共聚物构成,将上述陶瓷粉末、与上述粘合剂及增塑剂之比(P/B)控制在0.67~5.56(其中0.67和5.56除外)的范围内。
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公开(公告)号:CN103875045B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201280050553.7
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 一种R?T?B系合金薄片,其是含有R2T14B相的柱状晶体(2)的R?T?B系合金薄片,并且是在沿着厚度方向的截面上柱状晶体(2)从晶核(1)放射状地延伸,当令与截面的厚度方向相垂直的方向上的柱状晶体(2)的一个面侧的长度以及与所述一个面相反侧的另一个面侧的长度的平均值分别为D1以及D2时,满足下述式(1)的R?T?B系合金薄片。0.9/1.1≦D2/D1≦1.1/0.9(1)。
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公开(公告)号:CN103890867A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201280050510.9
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 一种R-T-B系烧结磁石(100),是使用含有R2T14B相的晶粒的R-T-B系合金薄片而得到的包含含有R2T14B相的粒子的R-T-B系烧结磁石(100),R-T-B系合金薄片在沿着厚度方向的截面上晶粒从晶核放射状地延伸,当令与厚度方向相垂直的方向上的晶粒的一个面侧的长度平均值以及与该面相反侧的另一个面侧的长度的平均值分别为D1以及D2时,满足下述式(1),颗粒的平均粒径为0.5~5μm,实质上不含重稀土元素。0.9≦D2/D1≦1.1?(1)。
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公开(公告)号:CN102190486B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201110059754.0
申请日:2011-03-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,是含有钙钛矿型化合物(ABO3),相对于100摩尔的化合物,用各氧化物换算,含有1.0~2.5摩尔的RA2O3(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2~1.0摩尔的RB2O3(RB为Ho和/或Y)、0.1~1.0摩尔的RC2O3(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8~2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2~3.0摩尔的Si化合物,RA2O3的含量(α)、RB2O3的含量(β)、RC2O3的含量(γ)满足关系式2.5≤α/β≤5.0、1.0≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明,则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。
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公开(公告)号:CN100550233C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200510113295.4
申请日:2005-08-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/63424 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/62665 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/96 , H01G4/308 , H05K1/0306 , H05K3/207 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/09881 , H05K2203/0156
Abstract: 制造剥离层用糊剂的方法,该剥离层用糊剂用于制造层压型电子部件,包括:准备一次浆液的工序,该一次浆液含有平均粒径为0.1μm以下的陶瓷粉末、粘合剂和分散剂,且不挥发成分的浓度为30重量%以上;在上述一次浆液中添加粘合剂漆溶液,稀释上述一次浆液,准备上述不挥发成分的浓度为15重量%以下、且相对于上述陶瓷粉末100重量份上述粘合剂的含有量为12重量份以上的二次浆液的工序;以及利用湿式喷磨机对上述二次浆液施加1.5×106~1.3×107(1/s)的剪切速度的高压分散处理上述二次浆液的工序。
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公开(公告)号:CN107134336A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710104730.X
申请日:2017-02-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
CPC classification number: H01F1/053 , B22F1/0014 , B22F3/16 , B22F5/00 , B22F9/04 , B22F2009/042 , B22F2009/044 , B22F2201/11 , B22F2201/20 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D3/06 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F1/058 , B22F3/02 , B22F2202/05 , B22F2009/049 , B22F3/10 , B22F2009/048 , B22F9/023 , B22F2003/248 , B22F3/12 , H01F1/0571
Abstract: 本发明提供一种R‑T‑B系永久磁铁,其特征在于:具有由R2T14B型化合物构成的主相颗粒,其中,R为稀土元素,T为以Fe或者Fe和Co作为必需元素的铁族元素,B为硼,上述主相颗粒的平均粒径为2.8μm以下,除R、T、B以外,至少含有C和Ga,B的含量为0.71质量%以上且0.86质量%以下,C的含量为0.13质量%以上且0.34质量%以下,Ga的含量为0.40质量%以上且1.80质量%以下,并且满足下述式(1)。0.14≤[C]/([B]+[C])≤0.30 (1)其中,[B]是以原子%表示的B含量,[C]是以原子%表示的C含量。
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公开(公告)号:CN103858185B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201280050562.6
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种R‑T‑B系烧结磁体,是一种具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的R‑T‑B系烧结磁体10,并且该R‑T‑B系烧结磁体10中,作为稀土元素实质上不包含镝;具备:具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的晶粒12、形成于晶粒12之间的晶界区域;三相点区域14是被3个以上的晶粒12所包围的晶界区域,该三相点区域包含稀土元素、过渡元素和硼,并且具有稀土元素的质量比率比晶粒12高的组成;截面上的三相点区域14的面积的平均值为2μm2以下,该面积的分布的标准偏差为3以下。
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