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发明公开
磁阻效应元件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN110165046A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910114243.0

申请日：2019-02-13

申请人： TDK株式会社 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 市川心人 , 中田胜之 , 三谷诚司 , 介川裕章 , 宝野和博 , 大久保忠胜

IPC分类号： H01L43/10 , H01L43/08 , H01L43/12 , B82Y30/00

摘要： 本发明提供一种隧道势垒层稳定地采用阳离子无序尖晶石结构的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层为MgxAl1-x(0≤x