公开(公告)号：CN110165046A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910114243.0

申请日：2019-02-13

申请人： TDK株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 市川心人 ,  中田胜之 ,  三谷诚司 ,  介川裕章 ,  宝野和博 ,  大久保忠胜

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明提供一种隧道势垒层稳定地采用阳离子无序尖晶石结构的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层为MgxAl1-x(0≤x

公开(公告)号：CN113036032A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011519004.2

申请日：2020-12-21

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。

公开(公告)号：CN118632614A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410906303.3

申请日：2020-12-08

申请人： TDK株式会社

发明人： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85

摘要： 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN113036032B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011519004.2

申请日：2020-12-21

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

摘要： 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。

公开(公告)号：CN112993148B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011422090.5

申请日：2020-12-08

申请人： TDK株式会社

发明人： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85

摘要： 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN111725393B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202010190069.0

申请日：2020-03-18

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  中田胜之

IPC分类号： H10N52/00 ,  H10N52/85 ,  H10N52/01

摘要： 本发明提供一种隧道势垒层，其包含非磁性氧化物，晶体结构既包括规则尖晶石结构也包括不规则尖晶石结构。

公开(公告)号：CN110660907B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201910561313.7

申请日：2019-06-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/85

摘要： 一种磁阻效应元件，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。

公开(公告)号：CN113748526A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201980095846.9

申请日：2019-12-19

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/26 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

摘要： 本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。

公开(公告)号：CN112993148A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011422090.5

申请日：2020-12-08

申请人： TDK株式会社

发明人： 犬伏和海 ,  中田胜之 ,  市川心人

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。

公开(公告)号：CN118984643A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411068854.3

申请日：2020-12-21

申请人： TDK株式会社

发明人： 市川心人 ,  犬伏和海 ,  中田胜之

IPC分类号： H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/85

摘要： 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。