太阳能电池的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101836300A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200880112607.1

    申请日:2008-10-29

    发明人: 张泽龙 李炳一

    IPC分类号: H01L31/042

    摘要: 本发明公开一种多晶硅太阳能电池的制造方法。根据本发明的多晶硅太阳能电池利用金属催化剂对非晶硅进行晶化退火,从而降低了晶化温度。根据本发明的太阳能电池的制造方法包括以下步骤:(a)在衬底上形成第一非晶硅层;(b)在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层;(c)在所述第二非晶硅层上形成金属层;(d)对所述第二非晶硅层进行晶化退火;以及(e)在步骤(d)所形成的晶体硅层上形成第三非晶硅层。