具有高延展性、高加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金

    公开(公告)号:CN104745972B

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201410834174.8

    申请日:2014-12-26

    IPC分类号: C22C45/02

    摘要: 本发明的课题为,提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力,具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题,含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷,合金组成表示为FeaBbSicPd,当a、b、c、d为原子百分比时,a、b、c以及d满足下式:81≦a≦87、7≦b≦10、0﹤d≦c﹤c+d﹤b、a+b+c+d≦100,饱和磁通密度在1.60T以上。

    具有高延展性、高加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金

    公开(公告)号:CN104745972A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201410834174.8

    申请日:2014-12-26

    IPC分类号: C22C45/02

    摘要: 本发明的课题为,提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力,具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题,含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷,合金组成表示为FeaBbSicPd,当a、b、c、d为原子百分比时,a、b、c以及d满足下式:81≦a≦87、7≦b≦10、0﹤d≦c﹤c+d﹤b、a+b+c+d≦100,饱和磁通密度在1.60T以上。

    电磁波屏蔽罩
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100566531C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200510003808.6

    申请日:2005-01-10

    摘要: 本发明提供一种节省接地占有面积,同时在屏蔽罩的周围一体地形成以前没有的获得大弹性位移的超弹性凸缘的电磁波屏蔽罩,电磁波屏蔽罩(2)配设成覆盖线路板(1)上的电子元件(6),通过与屏蔽罩(2)作成一体的凸缘(7)发生弹性变形,与线路板(1)上的接地导通部分(3)连接而接地,以防止电磁波向屏蔽罩(2)外泄漏,凸缘(7)是用金属玻璃与屏蔽罩(2)成一体地制作的。由于是用金属玻璃制作的,因而能利用与塑性变形不同的原子单位的粘性流动引起的变形,由此能实现没有弹性回弹的尺寸精度高的凸缘(7)的成形。