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公开(公告)号：CN118449472B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410904174.4
申请日：2024-07-08
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供一种功率放大器。所述功率放大器包括功率放大电路、偏置电路以及功率检测控制电路，功率检测控制电路采集检测功率放大电路的输入信号，当功率放大电路的输入信号的功率大于设定阈值功率时，功率检测控制电路抽取偏置电路的电流，偏置电路输出的偏置电流被拉低，功率放大电路的增益降低；当功率放大电路的输入信号的功率小于等于设定阈值功率时，偏置电路输出的偏置电流保持不变。如此，当功率放大电路输入信号的功率过大时，功率放大器可以进入低增益模式或者休眠模式，有效地避免了功率放大器输出更大功率，进而可以有效地防止功率放大器发生烧毁。本发明还提供一种限定功率放大器增益的方法。
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公开(公告)号：CN118732775A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411068707.6
申请日：2024-08-05
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种带隙电压基准电路及电子设备。该带隙电压基准电路包括启动单元、核心偏置单元和钳位运放单元；其中，启动单元用于在带隙电压基准电路上电时，提供启动电流至核心偏置单元，建立静态工作点；核心偏置单元采用NMOS管工作在亚阈值区域的CMOS电流镜像结构，用于产生正温度系数的电流，并通过镜像传输至输出支路，形成零温度系数的基准电压；钳位运放单元用于与核心偏置单元形成负反馈控制环路，对核心偏置单元的钳位电压输出端进行钳位控制。该带隙电压基准电路可以在低电源电压的工作条件下，实现低功耗、高精度的基准电压输出。
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公开(公告)号：CN116667812B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202310844732.8
申请日：2023-07-11
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种声表面波谐振器及其制造方法，叉指换能器包括多个叉指电极以及与所述叉指电极连接的两个汇流条组，每个所述汇流条组中靠近所述叉指电极的所述汇流条与所述叉指电极的法向之间呈角度设置，由此可以抑制横向模态。进一步的，所述叉指电极的端部设置有质量块，由此可以减小叉指电极末端的声速。进一步的，每个所述汇流条组包括至少两个汇流条并且相邻两个所述汇流条相连，从而能够将能量限制在谐振腔体中，抑制能量泄漏，最终极大地提高了Q值。
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公开(公告)号：CN117200826B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311461011.5
申请日：2023-11-06
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种射频前端模块的过压保护方法及电子设备。该过压保护方法包括如下步骤：实时检测供电电压；判断供电电压是否达到第一电压阈值；开始第一时间计时；判断第一时间是否达到第一时间阈值；射频前端模块进入过压保护模式；模拟控制电路使功率放大器的增益降低或关闭功率放大器；判断供电电压是否达到第五电压阈值；开始第二时间计时；判断第二时间是否达到第二时间阈值；射频前端模块退出过压保护模式；模拟控制电路使功率放大器恢复低增益工作或恢复正常工作。利用本发明，实现了对射频前端模块的有效保护。
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公开(公告)号：CN117438421A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311557738.3
申请日：2023-11-21
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H03H9/64 , H03H9/145 , H03H9/05
摘要： 本发明提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法，其中，第一阻挡层具有窗口，非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通，由于所述窗口的存在，覆膜在所述窗口处的变形量将增大，从而在形成塑封层时，此处的覆膜将断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔，由此解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN117423683A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311429077.6
申请日：2023-10-31
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/552 , H01L21/50
摘要： 本发明提供一种封装模组的制作方法。该封装模组的制作方法包括：提供中间塑封结构，中间塑封结构中，第一电子元件和第二电子元件分别位于第一再布线层的两侧且均与第一再布线层电连接，第一塑封层位于第一再布线层的一侧且至少覆盖第一电子元件的侧壁，第二塑封层位于第一再布线层的另一侧且至少覆盖第二电子元件的侧壁；在中间塑封结构上形成第一屏蔽层，第一屏蔽层覆盖第一塑封层以及中间塑封结构的侧壁；在中间塑封结构上形成第二屏蔽层，第二屏蔽层覆盖第二塑封层以及中间塑封结构侧壁。如此可以减小封装模组的体积，还可以防止电磁波对封装模组中的电子元件产生电磁干扰。本发明还提供一种封装模组。
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公开(公告)号：CN109032980B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810703855.9
申请日：2018-06-30
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种串行通信装置及串行通信方法。该串行通信装置包括射频前端模块和射频器件，射频前端模块的第一输入接口和第二输入接口与主控模块的输出接口对应连接，射频前端模块的第一输出接口通过第一信号总线与至少一个射频器件的第一输入接口连接时，射频前端模块的第二输出接口通过第二信号总线与至少一个射频器件的第二输入接口连接。本发明可以满足射频前端模块的各个芯片之间以及芯片内部之间便捷、快速的单向通信需求，同时还降低了通信复杂度，具有更高的传输效率。
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公开(公告)号：CN117200826A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311461011.5
申请日：2023-11-06
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种射频前端模块的过压保护方法及电子设备。该过压保护方法包括如下步骤：实时检测供电电压；判断供电电压是否达到第一电压阈值；开始第一时间计时；判断第一时间是否达到第一时间阈值；射频前端模块进入过压保护模式；模拟控制电路使功率放大器的增益降低或关闭功率放大器；判断供电电压是否达到第五电压阈值；开始第二时间计时；判断第二时间是否达到第二时间阈值；射频前端模块退出过压保护模式；模拟控制电路使功率放大器恢复低增益工作或恢复正常工作。利用本发明，实现了对射频前端模块的有效保护。
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公开(公告)号：CN117059586A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311125380.7
申请日：2023-08-31
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/528 , H01L25/04 , H01L23/29 , H01L23/488
摘要： 本发明提供了一种多层芯片封装结构及其制备方法，其中所述多层芯片封装结构的制备方法包括：通过第一塑封层将多个第一芯片包埋在第一载板上，然后形成位于每个第一芯片的焊垫上的第一再布线层和位于第一再布线层上的第一金属凸点，获得第一半导体中间结构，并对第一半导体中间结构进行切割，以形成多个第一中间子结构；接着，通过第二塑封层将多个第一中间子结构和多个第二芯片包埋在第二载板上，并形成位于每个第二芯片和第一中间子结构上的第二再布线层。本发明的多层芯片封装结构的制备方法可以减小封装尺寸，而采用该方法制备的多层芯片封装结构尺寸小，可以在较小尺寸的封装结构中集成更多芯片。
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公开(公告)号：CN116633383B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310880464.5
申请日：2023-07-18
申请人： 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种优化动态误差向量幅度的射频前端模块，包括至少一个发射通路；其中，每个发射通路包括驱动放大器、第一偏置电路、第一动态电源、功率放大器、第二偏置电路、第二动态电源、逻辑电路、TX计时器；其中，当逻辑电路接收到TX指令时，控制发射通路进入TX工作模式，TX计时器开始计时，第一动态电源和第二动态电源中至少一个动态电源，根据设定的多个时间段输出依次递增或者递减的动态电源电压，提供给第一偏置电路和/或第二偏置电路，动态补偿电路温度变化带来的输出功率变化，保证动态误差向量幅度满足较高要求。
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