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公开(公告)号：CN116036338A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211682882.5
申请日：2022-12-27
申请人： 马鞍山杰生半导体有限公司 , 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种空气杀菌装置，涉及空气杀菌技术领域，包括外壳，还包括用于辐射紫外线的紫外光源组件和通过反射面形状、距离及紫外光源辐射角度设置从而将紫外线的能量进行倍增并束缚在组件内部的紫外线束缚倍增组件；所述外壳用于固定所述紫外光源组件和紫外线束缚倍增组件，所述外壳上设置有用于空气流通的进气口和出气口。本发明提供的空气杀菌装置，结构简单，杀菌效率高，将紫外线限制在反射面之间，无紫外泄露，不会对设备备件及材料造成损害或对人体造成紫外线伤害，可广泛用于空调、空气净化器、车载空调以及居家、工厂、学校、商超等进风或空气循环系统。
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公开(公告)号：CN114380355A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210062499.3
申请日：2022-01-19
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
IPC分类号： C02F1/32
摘要： 本发明提供一种流动水杀菌消毒装置，包括：外壳组件、杀菌组件、内筒体、控制件和至少一个聚光件，所述杀菌组件和所述内筒体均设置在所述外壳组件内，所述内筒体内开设有内腔，所述杀菌组件位于所述内筒体的至少一端，所述聚光件设置在所述内筒体内，所述聚光件用于将所述杀菌组件照射到所述内腔内的光线调节成准直光线，所述内筒体的内腔与所述外壳组件的侧面通过至少两个通道连通，所述杀菌组件与所述控制件电连接，所述控制件用于控制所述杀菌组件给进入到内腔内的流体杀菌消毒。本发明提供一种流动水杀菌消毒装置，用以至少解决现有的杀菌装置占用空间大、杀菌效果不理想的技术问题。
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公开(公告)号：CN109888079B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910059514.7
申请日：2019-01-22
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接，本发明提供的封装结构将透光组件粘结在绝缘基板上开设在沟槽内，使得粘结材料不会被深紫外光直接照射，避免了粘结材料出现性能劣化的情况，保证了封装结构的密封性能，提升了封装结构的抗剪切力，延长了封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106997888B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201710220267.5
申请日：2017-04-06
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管显示装置，包括基板、印刷线路和焊点结构、多个发光二极管芯片以及波长转换层。本发明通过将多个发光二极管芯片于基板的第一表面的焊点结构电学连接，并由设置在发光二极管芯片上方的波长转换层将发光二极管芯片发出的光转换为预定波长的光，由于不需要将发光二极管芯片预先封装以作为显示屏的像素点，因此可采用更小的发光二极管芯片，并由发光二极管芯片上方的波长转换层转换光色，以形成显示屏的像素点，可以使得显示屏的像素点更小，从而可以提高单位面积像素密度，进而提高显示屏分辨率、减小显示屏体积，以适用于当前便携式、穿戴式显示设备、办公娱乐显示设备等场合。
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公开(公告)号：CN115172558A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211000379.7
申请日：2022-08-19
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有反射电极结构的LED芯片及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：金属电极层、ITO透明导电层、CBL电流阻挡层、金属保护层、反射金属层以及外延层；通过将反射金属层移植到CBL结构中，形成具有反射作用的全新CBL结构的LED芯片结构。本发明既能反射电极下面的光线使之不被金属吸收，又能有效的扩散注入电流达到提高电流均匀性的目的，两者的作用都可以提高光的提取效率增加亮度，且金属反射层不参与导电不会主动产生热量，对反射电极的可靠性有很大提高。
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公开(公告)号：CN109888079A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910059514.7
申请日：2019-01-22
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，包括：绝缘基板、发光二极管芯片、焊垫以及透光组件，其中，所述绝缘基板的边沿上开设有沟槽，所述透光组件的底端粘接在所述沟槽内，且所述透光组件和所述绝缘基板共同围成封闭的容纳空间，所述发光二极管芯片和所述焊垫位于所述容纳空间内，所述焊垫设置在所述绝缘基板上，所述发光二极管芯片与所述焊垫电连接，本发明提供的封装结构将透光组件粘结在绝缘基板上开设在沟槽内，使得粘结材料不会被深紫外光直接照射，避免了粘结材料出现性能劣化的情况，保证了封装结构的密封性能，提升了封装结构的抗剪切力，延长了封装结构的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105244420B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510547960.4
申请日：2015-08-28
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供种GaN基发光二极管的制作方法,包括:在基板上形成外延叠层;在外延叠层上形成电流阻挡层图案和透明导电层图案;进行干法刻蚀,使得部分N型第半导体层裸露,形成台面;在台面上形成绝缘保护层,对所述绝缘保护层进行电极光刻,形成第电极开孔和第二电极开孔,在电极开孔内形成金属电极,从而形成发光二极管。本发明提供的GaN基发光二极管的制作方法,通过调整各结构的光刻和刻蚀顺序,使得总工艺流程中仅需要经过三次光刻即可获得与采用常规工艺获得的结构相同的发光二极管,减少了发光二极管的制作时间,降低了材料成本和生产成本。
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公开(公告)号：CN105098018B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510293533.8
申请日：2015-06-01
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本发明提供一种倒装LED芯片的制造方法，该方法中在光刻胶上覆盖金属叠层，剥离光刻胶上的金属叠层，采用二次反转剥离将剩余的上述金属叠层的最上层金属，或者最上层金属和部分次上层金属剥离，以将剩余的上述金属叠层上的DBR剥离，其中，选用金属材料作为剥离材料，不会对DBR的成膜温度及时间带来限制，可以采用合适的温度和周期对形成DBR，实现了DBR的高反射率、宽反射光谱范围、结构性能优良，进而获得了性能更稳定可靠的LED芯片；另外，通过对金属叠层进行部分剥离，可以使得剩余部分的金属叠层作为DBR的导电材料，节约了材料且简化了工艺。
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公开(公告)号：CN105261691A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510566597.0
申请日：2015-09-08
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供一种发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片。该发光二极管倒装芯片的制备方法包括：在基板上蒸镀反射面层；在反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层；在高反射绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极，得到发光二极管倒装芯片。本发明提供的发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片可以提升发光二极管倒装芯片的工艺直通率和光通量。
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公开(公告)号：CN105244420A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510547960.4
申请日：2015-08-28
申请人： 圆融光电科技股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
摘要： 本发明实施例提供一种GaN基发光二极管的制作方法，包括：在基板上形成外延叠层；在外延叠层上形成电流阻挡层图案和透明导电层图案；进行干法刻蚀，使得部分N型第一半导体层裸露，形成台面；在台面上形成绝缘保护层，对所述绝缘保护层进行电极光刻，形成第一电极开孔和第二电极开孔，在电极开孔内形成金属电极，从而形成发光二极管。本发明提供的GaN基发光二极管的制作方法，通过调整各结构的光刻和刻蚀顺序，使得总工艺流程中仅需要经过三次光刻即可获得与采用常规工艺获得的结构相同的发光二极管，减少了发光二极管的制作时间，降低了材料成本和生产成本。
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