公开(公告)号：CN101064186B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200710101092.2

申请日：2007-04-26

申请人： 帕特兰尼拉财富有限公司

发明人： 宫本英明

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 一种存储器，其中具备：包括多个子阵列的存储单元阵列；配置于各个子阵列且被设置成能与主位线连接的子位线；连接在字线与子位线之间的存储部；和栅极与子位线连接且源极/漏极的一方与主位线连接，在读出动作时根据子位线的电位控制主位线的电位的第一晶体管。由此，可以得到能放大读出电压，并可以抑制存储器芯片面积增加的存储器。

公开(公告)号：CN100458969C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410075264.X

申请日：2004-09-13

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 宫本英明 ,  境直史 ,  石塚良行

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C11/40 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 本发明提供一种能够抑制扰动现象的存储器。该存储器，在对一部分所述选择存储单元进行重写动作，或者对全体选择存储单元都不进行重写动作时，选择字线以及与不被重写的存储单元对应的各个位线，在将互相之间的电位差维持在给定值以下的情况下进行升压，同时，让向选择字线以及与被重写的所述存储单元对应的各个位线施加用于重写的电压的期间长度，与字线以及与不被重写的存储单元对应的位线中至少任一方的电位迁移期间长度不一样。

公开(公告)号：CN101009133A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710002032.5

申请日：2007-01-18

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 宫本英明

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C2029/5002

摘要： 一种存储器，能够一边抑制印迹的发生，一边抑制电路规模的增大，同时抑制用于原存取所需期间的变短，且抑制消耗电力的增大。该存储器，具备用于对存储单元的存取次数进行检测的第1次数检测机构，用于对每个存储单元块的存储次数进行检测的第2次数检测机构，对发生印迹的非存取次数进行检测的第3次数检测机构。

公开(公告)号：CN1921006A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121356.6

申请日：2006-08-22

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 宫本英明 ,  松下重治

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/21

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 本发明提供一种存储器。该存储器备有：非易失性的存储器单元和对存储器单元进行重新写入用的更新部。而且，更新部在电源下降时对存储器单元进行读出及重新写入。由此，可以得到能够抑制由积累的干扰而导致的存储器单元的数据消失的存储器。

公开(公告)号：CN1604231A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410085731.7

申请日：2004-09-30

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 坛彻 ,  境直史 ,  松下重治 ,  石塚良行

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生残留极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的残留极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的残留极化量的恢复动作。

公开(公告)号：CN1445784A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03121676.5

申请日：2003-03-14

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 松下重治 ,  高野洋 ,  関根悟

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 提供可提高非选择的存储器单元中的抗干扰性的强感应体存储器。这种强感应体存储器，包括位线，与前述位线垂直配置的字线，以及配置在前述位线及前述字线间、包含强感应体电容器及与前述强感应体电容器串联连接的二极管的存储器单元。这样，在数据写入或读出时，如在非选择单元施加二极管中几乎无电流流动的范围的电压，在强感应体电容器上几乎没有电压。

公开(公告)号：CN1969338B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200580019279.7

申请日：2005-06-16

申请人： 帕特兰尼拉财富有限公司

发明人： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 提供一种能抑制非选择存储器单元的数据消失的干扰现象。该存储器具备存储器单元阵列(1)，其包括：位线；配置为与位线交叉的字线；连接在位线与字线之间的存储器单元(12)。而且，在该存储器中，通过对所选择的存储器单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作，向存储器单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲，其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场，第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场，并且对存储器单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。

公开(公告)号：CN1822211B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610009230.X

申请日：2006-02-14

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 村山佳树 ,  山田光一

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C7/06

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004

摘要： 本发明提供一种存储器。该存储器具备：连接在位线上，并保持数据的存储器单元；和基极连接在位线上的双极晶体管。而且，在数据的读出时，由双极晶体管来放大出现在位线上的与存储器单元的数据对应的电流，以读出数据。因此，能够抑制数据判断精度的降低。

公开(公告)号：CN100550194C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC分类号： G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阈值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态。

公开(公告)号：CN100461300C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510004322.4

申请日：2005-01-13

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 境直史

IPC分类号： G11C11/409 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C11/22

摘要： 本发明提供一种能够抑制非选择的存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器在对连接在所选择的字线上的所有存储单元总括进行读出动作的基础上，至少还对非选择的存储单元施加和读出动作中施加在非选择的存储单元上的第一电压极性相反的第二电压。