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公开(公告)号：CN108649902B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201810457272.2
申请日：2018-05-14
申请人： 成都中宇微芯科技有限公司
发明人： 周自波
摘要： 本发明公开一种温度补偿压控振荡器，包括LC压控振荡器、数字温度传感器、片外微处理器、频率数字校准单元和幅度数字校准单元；数字温度传感器：用于实时检测LC压控振荡器工作环境温度并将检测到的温度信号传送给片外微处理器；片外微处理器：用于接收数字温度传感器传送的信号并处理，然后将处理后的信号传送给频率数字校准单元和幅度数字校准单元；频率数字校准单元：用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对LC压控振荡器作出频率补偿动作；幅度数字校准单元：用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对LC压控振荡器作出幅度补偿动作。本发明通过采用数字校准的方法实现压控振荡器的频率和幅度校准，不存在闭环稳定性的问题，稳定可靠。
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公开(公告)号：CN110011076B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910189833.X
申请日：2019-03-13
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种周期排列的稀疏阵列天线及排列方法，所述阵列天线包括S个天线周期结构，每个天线周期结构包括N1个发射天线和N2个接收天线；N1个发射天线排列成第一直线，N2个接收天线排列成第二直线，第一直线与第二直线平行，且第一直线位于第二直线的上方或下方；S个天线周期结构依次排列成阵列天线，阵列天线包括M个等效相位中心，且M个等效相位中心呈等间距直线排列，其中，阵列天线中任意一个接收天线和任意一个发射天线之间的中点为1个等效相位中心；其中，1‑S(N1+N2)/M＞0。因使用周期结构便于组成可重复利用的标准模块，有利于提高产品一致性，减少维修备件提高可维护性，降低产品全寿命成本。
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公开(公告)号：CN108550571A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810378519.1
申请日：2018-04-25
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
发明人： 唐海林
摘要： 本发明涉及高频集成电路芯片封装技术领域，具体涉及一种集成端射天线的高频集成电路模块及其封装方法，包括封装壳体和固定在封装壳体上的集成型高频集成电路芯片，其中集成型高频集成电路芯片上设置有功能电路和端射天线组件，功能电路的高频输出电极与端射天线组件的高频输入电极在集成型高频集成电路芯片内部互联。通过将功能电路与端射天线组件均设置在集成型高频集成电路芯片上，在芯片加工时将功能电路的高频输出电极与端射天线组件的高频输入电极直接在芯片内部互联，使从集成型高频集成电路芯片打线到封装壳体的焊盘的都是直流或是低频率的电信号，就可以利用商业化的低成本封装工艺进行封装，解决了高频集成电路芯片封装的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN108538823A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810378103.X
申请日：2018-04-25
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
发明人： 刘伟
摘要： 本发明涉及芯片加工技术领域，实施例具体公开一种集成单极子天线的封装芯片及其加工方法。本发明提供的集成单极子天线的封装芯片，包括固定在基板上的裸片芯片，裸片芯片上设置有射频焊盘，还包括定位焊盘，定位焊盘设置在裸片芯片上或者基板上；还包括单极子天线，单极子天线为弧形金属丝，单极子天线的一端与射频焊盘键合连接、另一端与定位焊盘键合连接，裸片芯片、定位焊盘和单极子天线外部均覆盖有封装胶。通过将金属丝从裸片芯片射频焊盘上键合到指定位置定位焊盘上形成单极子天线，再采用封装胶覆盖对其进行固化形成集成单极子天线的封装芯片，可实现金属丝长度的可控性和金属丝的固定，使得封装工艺具备批量生产的条件，能够广泛推广。
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公开(公告)号：CN106848562A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710124873.7
申请日：2017-03-03
申请人： 成都中宇微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种毫米波亚毫米波硅基片载端射天线，本发明包括金属支撑台，以及设置于金属支撑台一侧的片载天线；所述片载天线包括硅衬底，设置于硅衬底上表面的SiO2层，以及设置于硅衬底上表面并位于SiO2层一侧的金属走线层；所述金属走线层位于片载天线靠近金属支撑台的一侧；所述金属走线层上设有CPW馈电端口；所述SiO2层上设有与CPW馈电端口相连的平行双线，且设有与平行双线相连的八木天线有源振子；所述金属支撑台靠近片载天线的一侧面上设有反射面，该反射面与CPW馈电端口的接地面组合构成发射器。本发明具有结构简单、尺寸小、高效率、高增益、易工程化的优点，满足在毫米波亚毫米波成像、通信以及相控阵等领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN106653690A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710125149.6
申请日：2017-03-03
申请人： 成都中宇微芯科技有限公司
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种多尺寸芯片切割工艺，本发明包括以下步骤：A、在晶圆背面涂胶光刻，并双面套刻露出芯片切割道对应的背面硅衬底；B、利用深反应离子刻蚀硅衬底材料；C、晶圆去胶清洗；D、晶圆背面多层金属溅镀；E、晶圆贴膜崩片，分离各种尺寸芯片。本发明的工艺过程简单、高效，可一次性把晶圆上所有不同尺寸，甚至是不规则尺寸的芯片切割分离，为芯片设计优化提供了更多选择性，提高研发成功率，降低成本。同时芯片背面和侧壁被金属层覆盖，可减小射频芯片功耗，提高射频转化效率。
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公开(公告)号：CN109951162B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910174553.1
申请日：2019-03-08
申请人： 成都中宇微芯科技有限公司
摘要： 本发明公开一种毫米波功率放大单元，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管，第一三极管的集电极作为所述放大单元的输出端，第一三极管的基极通过第一电容接地，第一三极管的发射极通过第一电感与第二三极管的集电极连接，第二三极管的基极通过第二电容接地，第二三极管的发射极通过第二电感同时与第三三极管和第四三极管的集电极连接，第三三极管和第四三极管的发射极接地，第三三极管的基极作为放大单元的输入端，第四三极管的集电极连接有第一外接电源。本发明可以在减小放大单元输入电容的同时提高放大单元的电压摆幅，从而使采用本申请提供的放大单元的放大器具有高宽带和高输出功率。
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公开(公告)号：CN110212284B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910527225.5
申请日：2019-06-18
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
发明人： 崔博华
摘要： 本发明涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种片上天线阵列装置。该片上天线阵列装置包括基座、天线主体和至少一个放置层，所述基座上设置有波导功分器，所述放置层沿预设方向安装于所述基座的放置平面上，所述天线主体分别设置于所述基座和所述放置层上。由此，可以通过增加放置层的数目，以在该片上天线阵列装置上布置足够多的天线。
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公开(公告)号：CN109884722B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910290056.8
申请日：2019-04-11
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
发明人： 邓小东
摘要： 本发明公开一种毫米波安检成像装置，包括背景层、毫米波辅助源、毫米波成像阵列和反射面，所述反射面用于反射毫米波辅助源发出的电磁波形成检测区域，所述毫米波成像阵列用于接收反射面反射的回波，形成成像区域，所述电磁波经整形反射形成的检测区域与成像区域重合，所述反射面上还设置有用于驱动所述反射面移动的扫描装置，本申请提供的毫米波安检成像装置，具有结构简单，分辨率高，成像速度快，效率高，可以实时成像的优点。
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公开(公告)号：CN108550571B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201810378519.1
申请日：2018-04-25
申请人： 成都聚利中宇科技有限公司
发明人： 唐海林
摘要： 本发明涉及高频集成电路芯片封装技术领域，具体涉及一种集成端射天线的高频集成电路模块及其封装方法，包括封装壳体和固定在封装壳体上的集成型高频集成电路芯片，其中集成型高频集成电路芯片上设置有功能电路和端射天线组件，功能电路的高频输出电极与端射天线组件的高频输入电极在集成型高频集成电路芯片内部互联。通过将功能电路与端射天线组件均设置在集成型高频集成电路芯片上，在芯片加工时将功能电路的高频输出电极与端射天线组件的高频输入电极直接在芯片内部互联，使从集成型高频集成电路芯片打线到封装壳体的焊盘的都是直流或是低频率的电信号，就可以利用商业化的低成本封装工艺进行封装，解决了高频集成电路芯片封装的瓶颈问题。
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