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公开(公告)号：CN117790274A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211142834.7
申请日：2022-09-20
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/505
摘要： 本发明公开了一种等离子镀膜设备及其工艺‑清洗进气结构。工艺‑清洗进气结构包括进气结构本体；进气结构本体包括转接筒、双层进气套管、工艺气喷嘴以及清洗喷嘴，双层进气套管包括内管以及套接在内管外侧的外管；内管为用于输送清洗气体的清洗气管，外管与内管之间能够形成工艺气输送空腔；转接筒的一端能够输入清洗气体，另一端则能够与清洗气管的进气端对接连通，而清洗气管的出气端安装有所述的清洗喷嘴；工艺气输送空腔通过外管的侧壁上所设置的工艺气外接接口与工艺气外接输送管连通；工艺气输送空腔的出气端安装有所述的工艺气喷嘴。由此可知，本发明采用不同的路径来分别输送工艺气体和清洗气体，以能够有效改善清洗效率。
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公开(公告)号：CN117447087A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210848946.8
申请日：2022-07-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明涉及一种针对石英晶体的深刻蚀工艺，是采用等离子体刻蚀方法，工艺掩膜为Ni；在反应过程中，气体被泵抽走的同时，有气体持续通进腔室，使得反应持续的进行，刻蚀速度可控；所述的反应气体包括CF4和CHF3，其中主刻蚀气体为CF4、CHF3作为保护气体，帮助电离，优化形貌。石英的主要成分为SiO2，反应气体电离后生成氟活性原子，当其达到SiO2表面生成SiF4气体；通过调整CF4和CHF3的气体比例、ICP‑Bias的功率以优化石英深刻蚀过程中底部粗糙的状况；获得高深宽比形貌的石英晶体，且维持石英晶体自身单晶结构，以提供好的噪声相位精度，电阻及稳定性。
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公开(公告)号：CN116773060A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210221682.3
申请日：2022-03-09
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明涉及一种薄膜压力传感器高抗电绝缘层及其制备方法，是在金属弹片表面交替沉积氧化硅层和氮化硅层，要确保叠层结构的首层为氧化硅，终结膜层为氮化硅；氧化硅层、氮化硅层的厚度范围均为50‑2000nm；金属弹片为不锈钢衬底、铝衬底、铜衬底、钽衬底以及各种合金衬底。在沉积氧化硅薄膜之前，金属表面沉积缓冲层；所述的缓冲层的材料是诸如钛、氮化钛、铬、镍之单质金属层，厚度为3nm‑100nm之间。本发明根据传感器绝缘层抗电性能要求的高低调整氧化硅/氮化硅叠层层数，可实现高致密、厚度可调节的薄膜压力传感器绝缘层。
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公开(公告)号：CN116344303A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111597307.0
申请日：2021-12-24
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种防止刻蚀工艺导致密封圈失效的电极装置及调控方法，装置包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台和水冷板，加热台与水冷板之间间距为h，h内安装有导热环，导热环呈环形且具有内环和外环，加热台上与导热环内环同轴位置开设导向通道；在导热环内环处安装内密封圈，内密封圈将导向通道与间距之间进行密封；在导热环外环处安装外密封圈，外密封圈将导热环与真空反应腔室之间进行密封；内密封圈与外密封圈之间的环形空间内为大气状态，外密封圈圈外空间内为真空状态。方法包括高温和低温两种工况下的调控；电极装置用于承载晶圆，同时结合调控方法为晶圆提供刻蚀工艺所需合适的温度。
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公开(公告)号：CN116344301A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111598611.7
申请日：2021-12-24
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种同时实现低温与高温等离子体刻蚀工艺的电极及调控方法，所述电极包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台、导热板和水冷板，水冷板的上表面，在中部位置处设置有导热板嵌槽，导热板嵌槽的槽底与加热台的下表面之间，存在间隙h；导热板嵌装在导热板嵌槽中，且导热板的厚度为h1，h1
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公开(公告)号：CN115376873A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110541731.7
申请日：2021-05-18
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/304 , H01J37/305
摘要： 本发明涉及一种离子源装置及其使用方法和真空处理系统，装置包括一个核心的放电腔，其封闭端呈凹字形设置，沿着放电腔布设四组放电线圈，还包括为放电线圈提供射频功率的射频电源、射频匹配器，用来将功率分配至四组放电线圈的功率分配器，离子栅网系统为离子栅网提供电压的直流电源，中和器以及用于总体控制离子源运行的离子源控制器；放电腔与放电线圈组合在整个放电腔内部形成四个等离子体放电区域，通过组合不同的等离子放电区域，在不同的放电线圈上加载不同的射频功率来实现从放电腔轴心沿径向向外的不同位置的等离子密度；本申请通过调节功率分配实现放电腔内离子体密度的改变，进而保证离子束刻蚀工艺的均匀性。
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公开(公告)号：CN115376872A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110541464.3
申请日：2021-05-18
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305
摘要： 本发明属于离子束刻蚀相关配件技术领域，尤其是一种用于离子源的防导电栅极固定结构及安装方法，包括圆形的栅极支撑，栅极支撑的平面开设有同心的第一固定圆槽、第一安装圆槽、第二固定圆槽、第二安装圆槽、第三固定圆槽、第三安装圆槽；六个圆槽直径依次减小，六个圆槽距离栅极支撑平面的深度依次增加；第一安装圆槽、第二安装圆槽、第三安装圆槽上分别安装有减速栅、加速栅、屏栅，第一安装圆槽、第二安装圆槽、第三安装圆槽上具有螺纹孔，减速栅、加速栅、屏栅分别通过螺钉固定于螺纹孔内。本发明将Grid分别固定在栅极支撑上，可有效保证三个栅极订定位精确，避免栅极周圈若干定位孔，可以增加栅的强度，同时大大减少维护周期。
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公开(公告)号：CN114724913A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110002167.1
申请日：2021-01-04
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN114724911A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110002081.9
申请日：2021-01-04
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子密度可调的离子源装置，包括离子源腔、放电腔、螺旋线圈、平面线圈和射频电源；离子源腔和放电腔从外至内依次同轴设置；放电腔的头部设置有进气面板；螺旋线圈同轴套设在放电腔的筒身外周，两者间具有径向间隙R；平面线圈同轴安装在进气面板的外侧上游，两者间具有轴向间隙L；螺旋线圈和平面线圈的一端均依次与功率分配器、射频匹配器和射频电源电连接，另一端均接地；功率分配器能对进入螺旋线圈和平面线圈的射频功率进行分配，通过对分配率r进行调节，从而实现放电腔内等离子密度分布的调节。本发明同时采用螺旋形和平面线圈，并对两个线圈进行功率分配，针对不同工况进行调节，能有效改善刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN114196945A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111540413.5
申请日：2021-12-16
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，包括以下步骤：S1、将晶圆通过传输机构输送至PECVD腔室内并进行预加热；S2、向PECVD腔室内通入工艺气体中副反应气体，并维持PECVD腔室内腔压稳定；S3、开启射频电源并保持第一预定时间，直至PECVD腔室内等离子体处于稳定状态；S4、向PECVD腔室内通入工艺气体中主反应气体，开始沉积薄膜直至预定厚度，关闭主反应气体；S5、将射频电源接通状态继续维持第二预定时间后关闭，同时关闭副反应气体。本发明实施例的减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，通过优化工艺反应气体进入PECVD腔室顺序、以及射频开启顺序来减少PECVD在沉积薄膜过程中产生的颗粒，对于减少薄膜表面颗粒的产生效果十分显著。
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